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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-25 12:15 Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector ○Yasuyuki Miyamoto・Shinnosuke Takahashi・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.）  ED2009-79 SDM2009-74 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-79 SDM2009-74 |
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| 抄録 | （和） | We investigated collector current spreading in InGaAs single heterojunction bipolar transistors (SHBTs) having a collector thickness of 75 nm. SHBTs were fabricated with three different emitter widths―200, 400, and 600 nm―and the highest cutoff frequency that was obtained was 468 GHz. The relationship between the current density at the highest cutoff frequency and the emitter width could not be used to estimate the current spreading because it was independent of the collector-base voltage. However, the relationship between the current density with the increase in the total collector-base capacitance and the emitter width indicates current spreading in the collector. The current spreading was estimated to be approximately 90 nm. |
| （英） | We investigated collector current spreading in InGaAs single heterojunction bipolar transistors (SHBTs) having a collector thickness of 75 nm. SHBTs were fabricated with three different emitter widths―200, 400, and 600 nm―and the highest cutoff frequency that was obtained was 468 GHz. The relationship between the current density at the highest cutoff frequency and the emitter width could not be used to estimate the current spreading because it was independent of the collector-base voltage. However, the relationship between the current density with the increase in the total collector-base capacitance and the emitter width indicates current spreading in the collector. The current spreading was estimated to be approximately 90 nm. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | InGaAs/InP / HBT / Kirk effect / current spreading / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-79, pp. 129-132, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-79 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-79 SDM2009-74 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-79 SDM2009-74 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / InGaAs/InP |
| キーワード(2)（和/英） | / HBT |
| キーワード(3)（和/英） | / Kirk effect |
| キーワード(4)（和/英） | / current spreading |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 新之助 / Shinnosuke Takahashi / タカハシ シンノスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 嵩 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 裕之 / Hiroyuki Suzuki / スズキ ヒロユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-25 12:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-79, SDM2009-74 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.129-132 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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