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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-25 12:15
Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor
Hideki MurakamiSyed MahboobKiyotaka KatayamaKatsunori MakiharaMitsuhisa IkedaYumehiro HataAkio KurodaSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.ED2009-87 SDM2009-82 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-87 SDM2009-82
抄録 (和) We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protein A as a key element for bio-sensing since this combined protein can act as an anchor for variety of target bio-molecules¬ on Si and SiO2 surfaces In this work, we confirmed the change in the surface potential with an attachment of SBP-tagged protein A on Si and SiO2, and clearly observed an increase in conductivity of undoped poly-Si thin film on thermally -grown SiO2 just after the attachment of silica binding protein-protein A on the surface. These results can be attributable to the change in the surface band bending of the poly-Si film. In p-channel FETs with a SiO2/Si3N4 gate dielectric, the drain current was significantly decreased by the attachment of the SBP-tagged protein A. Observed decrease in the drain current can be interpreted in terms of screening of pre-existing negative charges at the interface between SiO2and Si3N4 and in the Si3N4 film with the attachment of electrically-polarized SBP-protein A. 
(英) We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protein A as a key element for bio-sensing since this combined protein can act as an anchor for variety of target bio-molecules¬ on Si and SiO2 surfaces In this work, we confirmed the change in the surface potential with an attachment of SBP-tagged protein A on Si and SiO2, and clearly observed an increase in conductivity of undoped poly-Si thin film on thermally -grown SiO2 just after the attachment of silica binding protein-protein A on the surface. These results can be attributable to the change in the surface band bending of the poly-Si film. In p-channel FETs with a SiO2/Si3N4 gate dielectric, the drain current was significantly decreased by the attachment of the SBP-tagged protein A. Observed decrease in the drain current can be interpreted in terms of screening of pre-existing negative charges at the interface between SiO2and Si3N4 and in the Si3N4 film with the attachment of electrically-polarized SBP-protein A.
キーワード (和) Biosensor / Silica binding protein / / / / / /  
(英) Biosensor / Silica binding protein / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-82, pp. 161-164, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-82 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-87 SDM2009-82 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-87 SDM2009-82

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Biosensor / Biosensor  
キーワード(2)(和/英) Silica binding protein / Silica binding protein  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) サイアド マブー / Syed Mahboob / サイアド マブー
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 片山 清貴 / Kiyotaka Katayama / カタヤマ キヨタカ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ
第5著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑 夢博 / Yumehiro Hata / ハタ ユメヒロ
第6著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 章夫 / Akio Kuroda / クロダ アキオ
第7著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ
第8著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ
第9著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima university (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-25 12:15:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2009-87, SDM2009-82 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.161-164 
ページ数
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 


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