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| 講演名 | 2009-06-25 11:30 InP pn接合基板へのポーラス構造の形成とデバイス応用 ○佐藤威友・吉澤直樹・オカザキ ヒロユキ・橋詰 保（北大）  ED2009-76 SDM2009-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-76 SDM2009-71 |
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| 抄録 | （和） | We demonstrated to form InP porous structures on n-type epitaxial layers grown on p-type (001) substrates. The high-density array of straight pores with 150nm diameter and 5000nm depth was formed by the electrochemical anodization process, where the pore depth could be controlled by the anodization time in the n-type layer. The present p-n InP porous structures show the low optical reflectance in UV-, visible- and near-infrared region. The current transport properties clearly show the rectifying behavior. These features are very promising for practical application to high-efficiency photo-sensitive devices. |
| （英） | We demonstrated to form InP porous structures on n-type epitaxial layers grown on p-type (001) substrates. The high-density array of straight pores with 150nm diameter and 5000nm depth was formed by the electrochemical anodization process, where the pore depth could be controlled by the anodization time in the n-type layer. The present p-n InP porous structures show the low optical reflectance in UV-, visible- and near-infrared region. The current transport properties clearly show the rectifying behavior. These features are very promising for practical application to high-efficiency photo-sensitive devices. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Electrochemical Process / Porous Structure / Indium Phosphide / p-n junction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-76, pp. 117-120, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-76 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-76 SDM2009-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-76 SDM2009-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | InP pn接合基板へのポーラス構造の形成とデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation and application of InP porous structures on p-n substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Electrochemical Process |
| キーワード(2)（和/英） | / Porous Structure |
| キーワード(3)（和/英） | / Indium Phosphide |
| キーワード(4)（和/英） | / p-n junction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉澤 直樹 / Naoki Yoshizawa / ヨシザワ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | オカザキ ヒロユキ / Hiroyuki Okazaki / オカザキ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 1 |
| 発表日時 | 2009-06-25 11:30:00 |
| 発表時間 | 15 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-76, SDM2009-71 |
| 巻番号（vol） | 109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.117-120 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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