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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-25 08:30 ［招待講演］窒化物半導体基板上ヘテロ接合電子デバイスの設計と評価 ○葛原正明（福井大）  ED2009-70 SDM2009-65 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | State-of-the-art performance and future perspectives of III-nitride high-voltage and high-power transistors have been described. The importance of field plate design for achieving optimum high breakdown voltages is discussed based on a two-dimensional numerical device simulation, taking material parameters of the insulating film into account. Simulation results also indicated that an InN or In-rich InGaN channel FET is extremely promising for THz frequency operation. Novel III-nitride heterostructures, such as AlInN/InN/AlInN and AlInN/InGaN/AlInN fabricated on non-polar substrates, will provide additional freedom in designing a new device structure that ensures both high current drive capability and high-frequency performance. We predict that millimeter-wave high-power transistors operated at over 60GHz will become more important to establish safe and sustainable society in the future. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | nitride semiconductors / GaN / InGaN / AlGaN / AlInN / InN / transistors / HEMT | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-70, pp. 87-92, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-70 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-70 SDM2009-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 窒化物半導体基板上ヘテロ接合電子デバイスの設計と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron Devices Based on GaN and Related Nitride Semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | / InGaN |
| キーワード(4)（和/英） | / AlGaN |
| キーワード(5)（和/英） | / AlInN |
| キーワード(6)（和/英） | / InN |
| キーワード(7)（和/英） | / transistors |
| キーワード(8)（和/英） | / HEMT |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学大学院 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-25 08:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-70, SDM2009-65 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.87-92 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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