講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-06-25 09:00
[招待講演]Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array ○Yasuo Takahashi・Takuya Kaizawa・Mingyu Jo・Masashi Arita(Hokkaido Univ.)・Akira Fujiwar・Yukinori Ono(NTT)・Hiroshi Inokawa(Shizuoka Univ.)・Jung-Bum Choi(Chungbuk National Univ.) ED2009-83 SDM2009-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-83 SDM2009-78 |
抄録 |
(和) |
シリコンナノドットアレイ構造における単電子効果を利用した高機能デバイスを実証した。このデバイスは、アレイ構造を取るため、多数の入力と出力を取り付けることが可能であるという特徴を有する。ここでは、3入力ゲートと2出力端子を有するナノドットアレイデバイスを従来のCMOSコンパチブルなプロセスでSOIウエハ上に試作した。作成されたデバイスが、最も有用なロジックゲートである半加算器と全加算器として動作することを示した。 |
(英) |
We demonstrate a highly functional Si nanodot array device that operates by means of single-electron effects. The device features many input gates, and many outputs can be attached. A nanodot array device with three input gates and two output terminals was fabricated on a silicon-on-insulator wafer using conventional Si MOS processes. Its feasibility was demonstrated by its operation as both a half adder and a full adder when the operation voltage was carefully selected. |
キーワード |
(和) |
ナノドット / 単電子 / クーロンブロッケイド / SOI / 加算器 / 半加算器 / 全加算器 / ロジック選択デバイス |
(英) |
nanodot / single-electron / Coulomb blockade / SOI / adder / half adder / full adder / selectable logic device |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-78, pp. 145-148, 2009年6月. |
資料番号 |
SDM2009-78 |
発行日 |
2009-06-17 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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