お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-25 09:00
[招待講演]Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array
Yasuo TakahashiTakuya KaizawaMingyu JoMasashi AritaHokkaido Univ.)・Akira FujiwarYukinori OnoNTT)・Hiroshi InokawaShizuoka Univ.)・Jung-Bum ChoiChungbuk National Univ.ED2009-83 SDM2009-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-83 SDM2009-78
抄録 (和) シリコンナノドットアレイ構造における単電子効果を利用した高機能デバイスを実証した。このデバイスは、アレイ構造を取るため、多数の入力と出力を取り付けることが可能であるという特徴を有する。ここでは、3入力ゲートと2出力端子を有するナノドットアレイデバイスを従来のCMOSコンパチブルなプロセスでSOIウエハ上に試作した。作成されたデバイスが、最も有用なロジックゲートである半加算器と全加算器として動作することを示した。 
(英) We demonstrate a highly functional Si nanodot array device that operates by means of single-electron effects. The device features many input gates, and many outputs can be attached. A nanodot array device with three input gates and two output terminals was fabricated on a silicon-on-insulator wafer using conventional Si MOS processes. Its feasibility was demonstrated by its operation as both a half adder and a full adder when the operation voltage was carefully selected.
キーワード (和) ナノドット / 単電子 / クーロンブロッケイド / SOI / 加算器 / 半加算器 / 全加算器 / ロジック選択デバイス  
(英) nanodot / single-electron / Coulomb blockade / SOI / adder / half adder / full adder / selectable logic device  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-78, pp. 145-148, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-78 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-83 SDM2009-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-83 SDM2009-78

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ナノドット / nanodot  
キーワード(2)(和/英) 単電子 / single-electron  
キーワード(3)(和/英) クーロンブロッケイド / Coulomb blockade  
キーワード(4)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(5)(和/英) 加算器 / adder  
キーワード(6)(和/英) 半加算器 / half adder  
キーワード(7)(和/英) 全加算器 / full adder  
キーワード(8)(和/英) ロジック選択デバイス / selectable logic device  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi /
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Takuya Kaizawa / Takuya Kaizawa /
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Mingyu Jo / Mingyu Jo /
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Masashi Arita / Masashi Arita /
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Akira Fujiwar / Akira Fujiwar /
第5著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Yukinori Ono / Yukinori Ono /
第6著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Hiroshi Inokawa / Hiroshi Inokawa /
第7著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Jung-Bum Choi / Jung-Bum Choi /
第8著者 所属(和/英) Chungbuk National University (略称: Chungbuk National Univ.)
Chungbuk National University (略称: Chungbuk National Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-25 09:00:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2009-83, SDM2009-78 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.145-148 
ページ数
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会