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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-26 12:00 Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire ○Mingyu Jo・Takuya Kaizawa・Masashi Arita（Hokkaido Univ.）・Akira Fujiwara・Yukinori Ono（NTT）・Hiroshi Inokawa（Shizuoka Univ.）・Jung-Bum Choi（Chungbuk National Univ.）・Yasuo Takahashi（Hokkaido Univ.）  ED2009-94 SDM2009-89 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-94 SDM2009-89 |
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| 抄録 | （和） | We propose a simple method for the fabrication of Si single-electron transistors (SET) with coupled dots by means of pattern-dependent oxidation (PADOX). It is well known that the PADOX convert a small one-dimensional Si wire formed on a silicon-on-insulator (SOI) substrate into a SET automatically. We demonstrated a fabrication of a double-dot Si SET when we oxidized specially designed Si nanowires formed on SOI substrates. We analyzed the measured electrical characteristics by fitting the simulation results and confirmed the double-dot formation and the position of the two dots in the Si wire. |
| （英） | We propose a simple method for the fabrication of Si single-electron transistors (SET) with coupled dots by means of pattern-dependent oxidation (PADOX). It is well known that the PADOX convert a small one-dimensional Si wire formed on a silicon-on-insulator (SOI) substrate into a SET automatically. We demonstrated a fabrication of a double-dot Si SET when we oxidized specially designed Si nanowires formed on SOI substrates. We analyzed the measured electrical characteristics by fitting the simulation results and confirmed the double-dot formation and the position of the two dots in the Si wire. | |
| キーワード | （和） | 単電子 / クーロンブロッケード / ダブルドット / シリコン / SOI / / / |
| （英） | single-electron / Coulomb blockade / double-dot / silicon / SOI / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-89, pp. 189-192, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-89 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-94 SDM2009-89 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-94 SDM2009-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子 / single-electron |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(3)（和/英） | ダブルドット / double-dot |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(5)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Mingyu Jo / Mingyu Jo / |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Takuya Kaizawa / Takuya Kaizawa / |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Masashi Arita / Masashi Arita / |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Akira Fujiwara / Akira Fujiwara / |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yukinori Ono / Yukinori Ono / |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hiroshi Inokawa / Hiroshi Inokawa / |
| 第6著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Research Institute of Electronics, Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jung-Bum Choi / Jung-Bum Choi / |
| 第7著者 所属（和/英） | Chungbuk National University (略称： Chungbuk National Univ.) Chungbuk National University (略称： Chungbuk National Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yasuo Takahashi / Yasuo Takahashi / |
| 第8著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-26 12:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-94, SDM2009-89 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.189-192 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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