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| 講演名 | 2009-06-26 09:00 ［招待講演］Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor ○Taizoh Sadoh・Takanori Tanaka・Yasuharu Ohta・Kaoru Toko・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.）  ED2009-91 SDM2009-86 |
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| 抄録 | （和） | Lateral liquid-phase epitaxy of Ge-on-insulator (GOI) using Si seeds has been investigated. Giant single-crystalline GOI(100) structures with 400 micron length were obtained using Si(100) seeds. The very long growth was explained on the basis of the solidification temperature gradient due to Si-Ge mixing around the seeding area and the thermal gradient due to the latent heat around the solid/liquid interface at the growth front. On the other hand, giant GOI structures with rotating crystal orientations were obtained using Si(111) seeds. The rotation angle depended on the growth direction in plane to the surface. Namely, the rotation angle changed with a 60o period and became 0o and about 35o for <011> and <121> directions, respectively. The rotating growth was explained on the basis of the bonding strength between lattice planes at the growth front. |
| （英） | Lateral liquid-phase epitaxy of Ge-on-insulator (GOI) using Si seeds has been investigated. Giant single-crystalline GOI(100) structures with 400 micron length were obtained using Si(100) seeds. The very long growth was explained on the basis of the solidification temperature gradient due to Si-Ge mixing around the seeding area and the thermal gradient due to the latent heat around the solid/liquid interface at the growth front. On the other hand, giant GOI structures with rotating crystal orientations were obtained using Si(111) seeds. The rotation angle depended on the growth direction in plane to the surface. Namely, the rotation angle changed with a 60o period and became 0o and about 35o for <011> and <121> directions, respectively. The rotating growth was explained on the basis of the bonding strength between lattice planes at the growth front. | |
| キーワード | （和） | GOI / 液相エピタキシー / 集積回路 / MOSFET / / / / |
| （英） | GOI / liquid-phase epitaxy / LSI / MOSFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-86, pp. 177-180, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-86 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-91 SDM2009-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GOI / GOI |
| キーワード(2)（和/英） | 液相エピタキシー / liquid-phase epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 集積回路 / LSI |
| キーワード(4)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 貴規 / Takanori Tanaka / タナカ タカノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 康晴 / Yasuharu Ohta / オオタ ヤスハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 都甲 薫 / Kaoru Toko / トコウ カオル |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-26 09:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-91, SDM2009-86 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.177-180 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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