お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-07-16 15:00
(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価
陳 杰智更屋拓哉平本俊郎東大SDM2009-105 ICD2009-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-105 ICD2009-21
抄録 (和) (110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる.ナノワイヤFETはゲートオールアラウンド(GAA)構造を有しており,移動度測定用にマルチチャネルを有している.[110]方向のナノワイヤpFETでは,側面に(100)面が現れるが,高Ninv領域において(100)面に対して2.4倍もの移動度向上が得られることが明らかとなった.さらに,ひずみ効果も調べた結果,[110]方向が最適にナノワイヤpFETのチャネル方向であることを明らかにした. 
(英) Systematic study on hole mobility in gate-all-around (GAA) multiple Si nanowire (NW) pFETs on (110) SOI is described, utilizing advanced split C-V method. [110]-NWs show high mobility, 2.4x enhancement over universal (100) mobility, even in high Ninv region and in narrow (25nm) NWs. Furthermore, effects of uniaxial tensile stress are also investigated, indicating that [110] direction uniaxial stress is effective to modulate hole mobility in NWs.
キーワード (和) 移動度 / シリコンナノワイヤ / SOI / ゲートオールアラウンドFET / 一軸性ひずみ / / /  
(英) mobility / silicon nanowire / SOI / GAA FET / unaxial strain / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-105, pp. 45-48, 2009年7月.
資料番号 SDM2009-105 
発行日 2009-07-09 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-105 ICD2009-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-105 ICD2009-21

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2009-07-16 - 2009-07-17 
開催地(和) 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 
開催地(英) Tokyo Institute of Technology 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-07-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Mobility in Silicon Nanowire GAA Transistor on (110) SOI 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 移動度 / mobility  
キーワード(2)(和/英) シリコンナノワイヤ / silicon nanowire  
キーワード(3)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(4)(和/英) ゲートオールアラウンドFET / GAA FET  
キーワード(5)(和/英) 一軸性ひずみ / unaxial strain  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 陳 杰智 / Jiezhi Chen / チェン ジィエジィ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2009-07-16 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2009-105, ICD2009-21 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.133(SDM), no.134(ICD) 
ページ範囲 pp.45-48 
ページ数
発行日 2009-07-09 (SDM, ICD) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会