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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-16 15:00 (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 ○陳 杰智・更屋拓哉・平本俊郎（東大）  SDM2009-105 ICD2009-21 |
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| 抄録 | （和） | (110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる．ナノワイヤFETはゲートオールアラウンド(GAA)構造を有しており，移動度測定用にマルチチャネルを有している．[110]方向のナノワイヤpFETでは，側面に(100)面が現れるが，高Ninv領域において(100)面に対して2.4倍もの移動度向上が得られることが明らかとなった．さらに，ひずみ効果も調べた結果，[110]方向が最適にナノワイヤpFETのチャネル方向であることを明らかにした. |
| （英） | Systematic study on hole mobility in gate-all-around (GAA) multiple Si nanowire (NW) pFETs on (110) SOI is described, utilizing advanced split C-V method. [110]-NWs show high mobility, 2.4x enhancement over universal (100) mobility, even in high Ninv region and in narrow (25nm) NWs. Furthermore, effects of uniaxial tensile stress are also investigated, indicating that [110] direction uniaxial stress is effective to modulate hole mobility in NWs. | |
| キーワード | （和） | 移動度 / シリコンナノワイヤ / SOI / ゲートオールアラウンドFET / 一軸性ひずみ / / / |
| （英） | mobility / silicon nanowire / SOI / GAA FET / unaxial strain / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-105, pp. 45-48, 2009年7月. | |
| 資料番号 | SDM2009-105 | |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-105 ICD2009-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2009-07-16 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mobility in Silicon Nanowire GAA Transistor on (110) SOI |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンナノワイヤ / silicon nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | ゲートオールアラウンドFET / GAA FET |
| キーワード(5)（和/英） | 一軸性ひずみ / unaxial strain |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陳 杰智 / Jiezhi Chen / チェン ジィエジィ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 生産技術研究所 (略称： 東大) Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 生産技術研究所 (略称： 東大) Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 生産技術研究所 (略称： 東大) Institute of Industrial Science, University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-16 15:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-105, ICD2009-21 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.133(SDM), no.134(ICD) |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) |
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