講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-07-16 15:00
(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 ○陳 杰智・更屋拓哉・平本俊郎(東大) SDM2009-105 ICD2009-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-105 ICD2009-21 |
抄録 |
(和) |
(110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる.ナノワイヤFETはゲートオールアラウンド(GAA)構造を有しており,移動度測定用にマルチチャネルを有している.[110]方向のナノワイヤpFETでは,側面に(100)面が現れるが,高Ninv領域において(100)面に対して2.4倍もの移動度向上が得られることが明らかとなった.さらに,ひずみ効果も調べた結果,[110]方向が最適にナノワイヤpFETのチャネル方向であることを明らかにした. |
(英) |
Systematic study on hole mobility in gate-all-around (GAA) multiple Si nanowire (NW) pFETs on (110) SOI is described, utilizing advanced split C-V method. [110]-NWs show high mobility, 2.4x enhancement over universal (100) mobility, even in high Ninv region and in narrow (25nm) NWs. Furthermore, effects of uniaxial tensile stress are also investigated, indicating that [110] direction uniaxial stress is effective to modulate hole mobility in NWs. |
キーワード |
(和) |
移動度 / シリコンナノワイヤ / SOI / ゲートオールアラウンドFET / 一軸性ひずみ / / / |
(英) |
mobility / silicon nanowire / SOI / GAA FET / unaxial strain / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-105, pp. 45-48, 2009年7月. |
資料番号 |
SDM2009-105 |
発行日 |
2009-07-09 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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