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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-16 14:00 0.5V動作DRAM用60pJ，立ち上がり時間3クロック，しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路 ○田中丸周平・竹内 健（東大）  SDM2009-103 ICD2009-19 |
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| 抄録 | （和） | 0.5V動作DRAMのための, 低消費電力・高速ワード線昇圧回路を提案する．スタンドバイチャージポンプ・アクティブキッカー2つの昇圧回路を搭載する方式を採用し, 本論文ではそのアクティブキッカーを提案する．スイッチトキャパシタ方式の昇圧回路により, 従来のチャージポンプ式昇圧回路では難しかった短時間での昇圧が可能となった．さらにしきい値電圧ロスを補償し, ロウアクセス時間よりも短い3クロックで0.5Vから1.4Vを生成する．従来のワード線昇圧回路に比べ, 昇圧時間は25%, 消費電力は48%である．提案の昇圧回路の高速・低消費電力性により将来の0.5V動作DRAMのワード線昇圧回路として有望である． |
| （英） | A low power high-speed word-line booster is proposed for 0.5V operation DRAM. Word-line booster is composed of stand-by charge pump and active kicker. The active kicker is produced in this paper. Fast rising time is realized by utilizing switched-capacitor type booster. 3-clock rising time is achieved which is shorter than the entire DRAM access time. The rising time is 25% and the power consumption is 48% of the conventional circuits. With a fast and low power advantage, the proposed scheme is a promising candidate for the word-line booster of the future 0.5V operation DRAMs. | |
| キーワード | （和） | チャージポンプ / DRAM / ワード線昇圧回路 / / / / / |
| （英） | Charge-pump / DRAM / Word-line booster / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 134, ICD2009-19, pp. 33-38, 2009年7月. | |
| 資料番号 | ICD2009-19 | |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-103 ICD2009-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2009-07-16 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2009-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 0.5V動作DRAM用60pJ，立ち上がり時間3クロック，しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 60pJ, 3-Clock Rising Time, VTH Loss Compensated Word-line Booster Circuit for 0.5V Power Supply Embedded/Discrete DRAMs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | チャージポンプ / Charge-pump |
| キーワード(2)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(3)（和/英） | ワード線昇圧回路 / Word-line booster |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中丸 周平 / Shuhei Tanakamaru / タナカマル シュウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-16 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2009-103, ICD2009-19 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.133(SDM), no.134(ICD) |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) |
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