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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-17 13:50 KNbO3エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価 ○石河睦生・榮西 弘・長谷川智仁・矢澤慶裕・安井伸太郎・山田智明・黒澤 実（東工大）・森田 剛（東大）・舟窪 浩（東工大）  US2009-24 |
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| 抄録 | （和） | スパッタリング法を用いて、絶縁体であるSrTiO3基板上に導電性酸化物であるSrRuO3結晶膜を製膜し、SrRuO3上に水熱合成法を用いてKNbO3圧電結晶膜を16μmの厚さでエピタキシャル成長させた。スパッタリング法では基板温度を400度に加熱し、水熱合成法ではオートクレーブを240度に加熱し製膜を行った。得られたKNbO3// SrRuO3// SrTiO3上にPt電極を電子線ビーム蒸着法により製膜し、誘電特性および圧電定数の測定に関する評価を行った。分極値の測定結果から、分極－電界ヒステリシスカーブが観察され良好な強誘電体としての特性を有していることが分かった。また、振動変位の測定結果から、良好かつ明確な電圧―変位バタフライループが確認された。以上の結果から、製膜したPt/KNbO3//SR SrRuO3// SrTiO3の圧電定数は86pm/V, 抗電界は45kV/cm, 残留分極値は20μC/cm2と、圧電薄膜として非常に優れる値を示し、超音波トランスデューサ材料として有望であることが分かった。 |
| （英） | KNbO3 films were grown at 240 oC by hydrothermal method from KOH and Nb2O5 as source materials. 16 um-thick epitaxial KNbO3 thick films with {100}-orientation were successfully grown on (100)cSrRuO3//SrTiO3 substrates for 3 h. Clear hysteresis loops originated from the ferroelectricity were observed and a remanent polarization was 20 μC/cm2 at a maximum applied electric field of 220 kV/cm. The dielectric constant and the dielectric loss were 415 and 8% at 100 kHz, then an observed piezoelectric constant d33 was 86 pm/V in which case an area of electrode was 200 μm in diameter. | |
| キーワード | （和） | KNbO3 / 圧電 / エピタキシャル / 厚膜 / 水熱合成法 / スパッタリング法 / SrRuO3 / |
| （英） | KNbO3 / Piezoelectric / Epitaxial / Thick film / Hydrothermal method / Supptering method / SrRuO3 / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 135, US2009-24, pp. 11-13, 2009年7月. | |
| 資料番号 | US2009-24 | |
| 発行日 | 2009-07-10 (US) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2009-24 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2009-07-17 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 桐蔭横浜大学 |
| 開催地（英） | Toin University of Yokohama |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2009-07-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | KNbO3エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of KNbO3 thick Films by Hydrothermal Method and Their Characterization |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | KNbO3 / KNbO3 |
| キーワード(2)（和/英） | 圧電 / Piezoelectric |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル / Epitaxial |
| キーワード(4)（和/英） | 厚膜 / Thick film |
| キーワード(5)（和/英） | 水熱合成法 / Hydrothermal method |
| キーワード(6)（和/英） | スパッタリング法 / Supptering method |
| キーワード(7)（和/英） | SrRuO3 / SrRuO3 |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 睦生 / Mutsuo Ishikawa / イシカワ ムツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榮西 弘 / Hiroshi Einishi / エイニシ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 智仁 / Tomohito Hasegawa / ハセガワ トモヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢澤 慶裕 / Keisuke Yazawa / ヤザワ ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 伸太郎 / Shintaro Yasui / ヤスイ シンタロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 智明 / Tomoaki Yamada / ヤマダ トモアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 実 / Minoru Kurosawa / クロサワ ミノル |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 剛 / Takeshi Morita / モリタ タケシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The university of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舟窪 浩 / Hiroshi Funakubo / フナクボ ヒロシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo institute of technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-17 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2009-24 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.135 |
| ページ範囲 | pp.11-13 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2009-07-10 (US) |
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