講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-07-30 13:25
マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD ○石村栄太郎・中路雅晴・綿谷 力・太田 徹・板倉成孝・酒井清秀・青柳利隆・石川高英(三菱電機) MW2009-35 OPE2009-35 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2009-35 OPE2009-35 |
抄録 |
(和) |
光ファイバ無線のためのマイクロ波発生用として、感度の波長依存性を大幅に低減した高効率のデュアルレゾナントキャビティ型InGaAs pin-PDを開発した。高光電流が流せるようInGaAs吸収層の厚みを0.8umに薄膜化したにも関わらず、0.90A/W(@1.54um)の高感度が実測で得られた。感度の波長依存性は緩やかで1500~1565nmの広い波長範囲で0.81A/W以上の高感度であった。光入力パワー+20dBmにおいて、マイクロ波出力+21.5dBm@5GHzが得られた。本PDは、効率の高いマイクロ波発生用受光素子として有望である。 |
(英) |
For radio-over-fiber applications, we have developed a high-efficient InGaAs pin PD with a dual resonant cavity, which reduces the responsivity dependence on wavelength. The PD shows a high responsivity of 0.90 A/W at 1.54um in spite of a thinner absorbing layer of 0.8um to flow high current. The responsivity dependence on wavelength is low and exhibits a high responsivity of over 0.8A/W at wide wavelength range from 1500 to 1565nm. The PD shows a high RF power of +21.5dBm at 5GHz under low light power of +20dBm. The PD is high efficient and a promising device for microwave application. |
キーワード |
(和) |
光ファイバ無線 / マイクロ波出力 / 5GHz / pin-PD / InGaAs / レゾナントキャビティ / 高感度 / |
(英) |
radio-over-fiber / resonant cavity / microwave / PD / InGaAs / pin PD / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 159, OPE2009-35, pp. 31-34, 2009年7月. |
資料番号 |
OPE2009-35 |
発行日 |
2009-07-23 (MW, OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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