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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-08-10 15:05 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価 ○成田 克（山形大）・安冨伍郎・右ノ子知恵・稲永征司・並木 章（九工大）  CPM2009-34 |
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| 抄録 | （和） | Si(100)表面からの水素分子（D$_{2}$）の脱離kineticsを昇温脱離法（Temperature-Programmed Desorption：TPD）と等温脱離法を用いて調べた．TPDスペクトルの片対数プロットから，水素脱離には3つの脱離チャネル（$\beta_{1,\rm{A}}$，$\beta_{1,\rm{B}}$，C）が存在することを見出した． $\beta_{1,\rm{A}}$ピークは初期水素被覆率$\theta_{\rm D}^{0}$が変化してもそのピーク温度は変わらず，一次脱離反応の特徴を示した．一方，$\beta_{1,\rm{B}}$ピークは$\theta_{\rm D}^{0}$の減少に伴って高温側にシフトすることから，二次脱離反応の特徴を示した． 等温脱離法を用いてそれらの脱離バリヤーを評価したところ，$\beta_{1,\rm{A}}$脱離は1.6$\pm$0.1 eV，$\beta_{1,\rm{B}}$脱離は1.8$\pm$0.1 eVという結果を得た． これらの値は，これまで信じられてきた脱離バリヤー2.5 eVよりも 約1 eV低い値であり，これらの脱離メカニズムをinter-dimer機構を基に考察した． |
| （英） | We have investigated desorption kinetics of deutrium from a Si(100) surface using temperature-programmed desorption (TPD) and isothermal desorption methods. From semi-logarithmic plots of TPD spectra, it is found that three desorption components, denoted as $\beta_{1,\rm{A}}$, $\beta_{1,\rm{B}}$, and C, can be distinguished. The maximum of the $\beta_{1,\rm{A}}$ peak is nearly constant at around the maximum temperature of the TPD peak. On the orther hand, the $\beta_{1,\rm{B}}$ peak systematically shifts to higher temperatures with decreasing $\theta_{\rm D}^{0}$. These results imply that first- and second-order kinetics are operating for the $\beta_{1,\rm{A}}$ and $\beta_{1,\rm{B}}$ desorptions, respectively. From the analysis of isothermal desorption curves, the desorption barriers for the $\beta_{1,\rm{A}}$ and $\beta_{1,\rm{B}}$ desorptions are evaluated to be 1.6$\pm$0.1 eV and 1.8$\pm$0.1 eV, respectively. These values are substantially lower than the widely accepted value of 2.5 eV. The desorption mechanisms for the $\beta_{1,\rm{A}}$, $\beta_{1,\rm{B}}$ and C channels are discussed based on an inter-dimer model. |
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| キーワード | （和） | 水素 / Si(100)表面 / 昇温脱離法 / 等温脱離法 / 脱離バリヤー / / / |
| （英） | Hydrogen / Si(100) surface / Temperature-programmed desorption / Isothermal desorption / Desorption barrier / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-34, pp. 5-8, 2009年8月. | |
| 資料番号 | CPM2009-34 | |
| 発行日 | 2009-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2009-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2009-08-10 - 2009-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 |
| 開催地（英） | Hirosaki Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2009-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Hydrogen Desorption Barrier from Si(100) Surface using Temperature-Pprogrammed Desorption and Isothermal Desorption |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(2)（和/英） | Si(100)表面 / Si(100) surface |
| キーワード(3)（和/英） | 昇温脱離法 / Temperature-programmed desorption |
| キーワード(4)（和/英） | 等温脱離法 / Isothermal desorption |
| キーワード(5)（和/英） | 脱離バリヤー / Desorption barrier |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安冨 伍郎 / Goro Yasutomi / ヤストミ ゴロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyushu Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右ノ子 知恵 / Chie Unoko / ウノコ チエ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyushu Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲永 征司 / Shoji Inanaga / イナナガ ショウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyushu Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 並木 章 / Akira Namiki / ナミキ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyushu Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-08-10 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2009-34 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.171 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-08-03 (CPM) |
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