講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-08-11 11:40
間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 齋藤 健・永田一樹(長岡技科大)・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆(東北大)・中澤日出樹(弘前大)・成田 克(山形大)・高田雅介・赤羽正志・○安井寛治(長岡技科大) CPM2009-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-45 |
抄録 |
(和) |
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。これまでAlNバッファー層成長過程においていくつかの間欠ガス供給パターンを用いてGaNの成長を行った。このAlNバッファー層形成条件についてはGaN結晶性向上にとって良好な条件を見出せたが、GaN膜の成長過程において最適な間欠ガス供給条件を見出していない。今回、気相反応を抑制することでGaN膜の特性を更に改善出来ないか、アンモニア及びアルキル金属原料ガスを間欠供給させ成長を行った。また、1パルスあたりのTMGの供給量を制御しGaN成長を試みた。その結果、TMGを間欠供給、アンモニアを連続供給させた場合において結晶性、発光特性ともに優れたGaN膜が得られた。また、Ga原料ガス原料供給の周期8 秒で最も良い結晶膜が得られた。 |
(英) |
Hot-mesh CVD with various gas supply modes for the epitaxial growth of gallium nitride (GaN) on Si was investigated for the improvement of its crystallinity and optical properties. The optimal interruption time in an intermittent TMG gas supply was also investigated. As a result, the good crystallinity of GaN films was obtained by an intermittent gas supply of TMG and a continuous supply of NH3 gas. The best crystallinity was obtained at an interruption time of 8 s. |
キーワード |
(和) |
GaN / AlN / Intermittent supply / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD / / |
(英) |
GaN / AlN / Intermittent supply / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-45, pp. 61-66, 2009年8月. |
資料番号 |
CPM2009-45 |
発行日 |
2009-08-03 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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