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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-08-20 09:05 InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善 ○牛込 基・荒川太郎（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大）  EMD2009-26 CPM2009-50 OPE2009-74 LQE2009-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2009-26 CPM2009-50 OPE2009-74 LQE2009-33 |
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| 抄録 | （和） | 低い印加電界で大きな屈折率変化を得ることができるInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)をコア層に用いたY分岐マッハ・ツェンダー光変調器を分子線エピタキシー法及びウェットプロセスで作製し，1.55$\micro$m, TE モードにおいて低電圧変調動作（V$\pi$・L=1.2 Vmm）を確認した．変調動作に寄与した屈折率変化はFACQWにおける特殊な量子閉じ込めシュタルク効果であると考えられる．また，変調特性の更なる効率化を目指しFACQWポテンシャル構造の再設計を試みた．その結果，基礎吸収端波長をブルーシフトさせることで動作波長帯域における吸収損失を低減し，かつより低電圧での変調動作が期待できるFACQWポテンシャル構造を見出すことができた． |
| （英） | Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW) is a potential tailored quantum well suited for high-performance optical modulators and switches. InGaAs/InAlAs FACQW Mach-Zehnder optical modulators were fabricated by molecular beam epitaxy and low-voltage DC operation (V$\pi$・L=1.2 Vmm) at 1.55 $\micro$m was obtained. The large refractive change is mainly due to the unique quantum confined Stark effect (QCSE) of the FACQW. In addition, we redesigned the FACQW structure to reduce the operation voltage. As a result, a new FACQW structure with lower absorption loss and lower operation voltage was found. The electrorefractive effect of the new FACQW structure was theoretically discussed. | |
| キーワード | （和） | 量子井戸 / InGaAs / 五層非対称結合量子井戸 / 光変調器 / 光スイッチ / 電界誘起屈折率変化 / / |
| （英） | Quantum Well / InGaAs / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well / Optical Modulator / Optical Switch / Electrorefractive Effect / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 175, OPE2009-74, pp. 1-6, 2009年8月. | |
| 資料番号 | OPE2009-74 | |
| 発行日 | 2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2009-26 CPM2009-50 OPE2009-74 LQE2009-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2009-26 CPM2009-50 OPE2009-74 LQE2009-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE EMD CPM LQE |
| 開催期間 | 2009-08-20 - 2009-08-21 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2009-08-OPE-EMD-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Property Improvement of InGaAs/InAlAs Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸 / Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 五層非対称結合量子井戸 / Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| キーワード(4)（和/英） | 光変調器 / Optical Modulator |
| キーワード(5)（和/英） | 光スイッチ / Optical Switch |
| キーワード(6)（和/英） | 電界誘起屈折率変化 / Electrorefractive Effect |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牛込 基 / Motoki Ushigome / ウシゴメ モトキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 太郎 / Taro Arakawa / アラカワ タロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama National Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多田 邦雄 / Kunio Tada / タダ クニオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-08-20 09:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | EMD2009-26, CPM2009-50, OPE2009-74, LQE2009-33 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.173(EMD), no.174(CPM), no.175(OPE), no.176(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
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