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講演抄録/キーワード
講演名 2009-09-25 15:15
効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
重松寿生井上雄介赤瀬川章彦増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研MW2009-86 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2009-86
抄録 (和) 本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMTを用いた超340 W出力のC帯高出力増幅器について報告する。増幅器は2チップ構成とし、帯域を拡大するために3段のインピーダンス変換回路を用いた。チップ直近の入出力の伝送線路は高周波における熱不均一を抑制するために各々のチップに対して4分割した構造とした。この結果、9.8 GHzにおいて101 Wの出力と53 %の電力付加効率を得た。これはこれまでに報告されている超50 W出力のX帯増幅器で最高の付加効率である。また4.8 GHzにおいて343 Wの出力と53 %の電力付加効率を得た。これもまたこれまでに報告されている1パッケージC帯高出力増幅器で最高の出力である。 
(英) In this paper, we report an X-band power amplifier with over 100-W output power using 0.25-μm GaN-HEMTs and a C-band power amplifier with over 340-W output power using 0.8-μm GaN-HEMTs. We used two-chip configurations and the three-stage impedance transformers to extend the bandwidth for both circuits. The input and output lines adjacent to each chip are divided by four to suppress the non-uniform heat distribution in a chip at high frequencies. As a result, we obtained 101-W output power and 53-% PAE at 9.8 GHz. This is the highest PAE ever reported X-band power amplifiers with over 50-W output power. We also obtained 343-W output power and 53-% power added efficiency (PAE) at 4.8 GHz. This is also the highest output power ever reported C-band power amplifiers.
キーワード (和) C帯 / X帯 / GaN / 高出力 / 高効率 / 増幅器 / /  
(英) C-band / X-band / GaN / high output power / high efficiency / amplifier / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 210, MW2009-86, pp. 73-78, 2009年9月.
資料番号 MW2009-86 
発行日 2009-09-18 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2009-86 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2009-86

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2009-09-25 - 2009-09-25 
開催地(和) 電通大 
開催地(英) Univ. of Electro-Communications 
テーマ(和) マイクロ波一般 
テーマ(英) Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2009-09-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) C-band 340-W and X-band 100-W GaN Power Amplifiers with Over 50-% PAE 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) C帯 / C-band  
キーワード(2)(和/英) X帯 / X-band  
キーワード(3)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(4)(和/英) 高出力 / high output power  
キーワード(5)(和/英) 高効率 / high efficiency  
キーワード(6)(和/英) 増幅器 / amplifier  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 重松 寿生 / Hisao Shigematsu / シゲマツ ヒサヲ
第1著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 雄介 / Yusuke Inoue / イノウエ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤瀬川 章彦 / Akihiko Akasegawa / アカセガワ アキヒコ
第3著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 哲 / Satoshi Masuda / マスダ サトシ
第4著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 全男 / Masao Yamada / ヤマダ マサオ
第5著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 金村 雅仁 / Masahito Kanamura / カナムラ マサヒト
第6著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ
第7著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ
第8著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ
第9著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 今西 健治 / Kenji Imanishi / イマニシ ケンジ
第10著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉川 俊英 / Toshihide Kikkawa / キッカワ トシヒデ
第11著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 常信 和清 / Kazukiyo Joshin / ジョウシン カズキヨ
第12著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第13著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-09-25 15:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2009-86 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.210 
ページ範囲 pp.73-78 
ページ数
発行日 2009-09-18 (MW) 


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