講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-09-25 15:15
効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器 ○重松寿生・井上雄介・赤瀬川章彦・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀(富士通研) MW2009-86 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2009-86 |
抄録 |
(和) |
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMTを用いた超340 W出力のC帯高出力増幅器について報告する。増幅器は2チップ構成とし、帯域を拡大するために3段のインピーダンス変換回路を用いた。チップ直近の入出力の伝送線路は高周波における熱不均一を抑制するために各々のチップに対して4分割した構造とした。この結果、9.8 GHzにおいて101 Wの出力と53 %の電力付加効率を得た。これはこれまでに報告されている超50 W出力のX帯増幅器で最高の付加効率である。また4.8 GHzにおいて343 Wの出力と53 %の電力付加効率を得た。これもまたこれまでに報告されている1パッケージC帯高出力増幅器で最高の出力である。 |
(英) |
In this paper, we report an X-band power amplifier with over 100-W output power using 0.25-μm GaN-HEMTs and a C-band power amplifier with over 340-W output power using 0.8-μm GaN-HEMTs. We used two-chip configurations and the three-stage impedance transformers to extend the bandwidth for both circuits. The input and output lines adjacent to each chip are divided by four to suppress the non-uniform heat distribution in a chip at high frequencies. As a result, we obtained 101-W output power and 53-% PAE at 9.8 GHz. This is the highest PAE ever reported X-band power amplifiers with over 50-W output power. We also obtained 343-W output power and 53-% power added efficiency (PAE) at 4.8 GHz. This is also the highest output power ever reported C-band power amplifiers. |
キーワード |
(和) |
C帯 / X帯 / GaN / 高出力 / 高効率 / 増幅器 / / |
(英) |
C-band / X-band / GaN / high output power / high efficiency / amplifier / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 210, MW2009-86, pp. 73-78, 2009年9月. |
資料番号 |
MW2009-86 |
発行日 |
2009-09-18 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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