お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 【重要】研究会・各種料金のお支払い方法変更について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-09-30 09:25
Brillouin散乱法による圧電半導体の面内方向電気特性評価に関する検討
柳谷隆彦名工大)・佐野広幸松川真美同志社大US2009-48
抄録 (和) GaN,ZnOなどのワイドギャップ半導体のように,試料に圧電性がある場合,電気機械結合を利用して抵抗率を測定できる可能性がある.しかし実用的な1 •m以下の半導体を評価するにはGHz帯以上での音速測定が必要となる.本研究では,Brillouin散乱法によるGHz帯音速測定から微小領域における基板面内方向抵抗率を測定する方法について検討を行った.まずZnO単結晶の-50~180ºCの抵抗率温度特性の分布をあらかじめ電極により測定しておき,その抵抗率における音速と減衰の理論曲線を計算した.計算には広範囲のql(q:波数,l:キャリヤの平均自由行程)について一般化され,交流の抵抗率を扱ったSpectorの式を用いた.次に-50~180ºCにおいて約5 GHzと18.5 GHzの面内方向伝搬縦波の音速と減衰の測定を行い,理論曲線と比較した結果,大きな抵抗率変化を捉えるには十分な一致をみせた.さらに結晶内の9点において音速分布を測定した結果,電極測定で得られた抵抗率の「c軸方向の抵抗率変化は大きくa軸方向の変化は小さい」傾向を音速測定から明確に捉えることに成功した. 
(英) Non-contact electric property measurements are required in semiconductor samples to avoid mechanical and chemical damages at sample surface. We propose the measurement in the in-plane direction of the sample, using electromechanical coupling. Wide band-gap semiconductors such as GaN, AlN, ZnO, etc. have piezoelectric effect. Therefore, electric properties of these materials can be measured via an electromechanical coupling. To estimate the properties in the crystal with less than 1 •m (which is general value in intrinsic wide band-gap semiconductors), acoustic measurement above the GHz range is essential. We have theoretically and experimentally investigated in-plane directional GHz bulk acoustic wave velocities and attenuations in a ZnO crystal using Brillouin scattering method. Distribution of electric properties in the crystal, separately measured by the electrode, has been clearly detected by the acoustic velocity distribution measurement.
キーワード (和) 音響電気効果 / 緩和現象 / Brillouin散乱法 / 圧電半導体 / ZnO / 面内方向電気特性 / 単結晶 /  
(英) Acousto-electric effect / Brillouin scattering / Piezoelectric semiconductors / ZnO / In-plane electric properties / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 213, US2009-48, pp. 59-64, 2009年9月.
資料番号 US2009-48 
発行日 2009-09-22 (US) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2009-48

研究会情報
研究会 US  
開催期間 2009-09-29 - 2009-09-30 
開催地(和) 祝いの宿 登別グランドホテル 会議室 
開催地(英) Noboribetsu Grand Hotel 
テーマ(和) 一般 
テーマ(英) General 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2009-09-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Brillouin散乱法による圧電半導体の面内方向電気特性評価に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Measurement of in-plane electric properties in a piezoelectric semiconductor by Brillouin scattering method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 音響電気効果 / Acousto-electric effect  
キーワード(2)(和/英) 緩和現象 / Brillouin scattering  
キーワード(3)(和/英) Brillouin散乱法 / Piezoelectric semiconductors  
キーワード(4)(和/英) 圧電半導体 / ZnO  
キーワード(5)(和/英) ZnO / In-plane electric properties  
キーワード(6)(和/英) 面内方向電気特性 /  
キーワード(7)(和/英) 単結晶 /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 広幸 / Hiroyuki Sano / サノ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松川 真美 / Mami Matsukawa / マツカワ マミ
第3著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2009-09-30 09:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2009-48 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.213 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2009-09-22 (US) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会