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講演抄録/キーワード
講演名 2009-09-30 09:00
c軸傾斜反転配向ZnO多層膜の作製と横波共振子への応用
守里直希高柳真司同志社大)・柳谷隆彦名工大)・松川真美渡辺好章同志社大US2009-47
抄録 (和) 本研究では,これまでに電界方向に対してc軸が23°傾いたZnO膜の作製に成功している.この薄膜を用いてc軸の傾斜方向を交互反転させて積層すれば,高次の厚みすべりモード共振子を作製することができる.この共振子では共振周波数を維持したまま膜厚を大きくすることができる.また測定回路とインピーダンス整合を取るときの電極面積(センサ面積)も大きくでき,更に耐電力性の向上や,不要な縦波の励振も抑制できると考えられる.本研究では,RFマグネトロンスパッタ法を用いて,c軸を交互反転させた6層ZnO多層膜を作製した.結晶配向性を維持したまま多層構造を実現するのに有効なSiO2緩衝層の作製方法について検証した.ZnO膜の三次元的な配向性は極点X線回折法を用いて評価した.さらに断面SEM画像からZnO膜の構造を評価した.共振子の変換損失を測定した結果,横波最小変換損失の6次モード共振周波数において,厚みすべりモード共振は維持されたまま,厚み縦モード共振は抑制された.膜をより多層化することで,さらに高次のすべりモード共振も可能と考えられる. 
(英) In a previous study, we have reported c-axis 23° tilted ZnO film for shear wave excitations. We here propose a new multilayered resonator consisting of the c-axis tilted ZnO films. Every layer has same thickness, and the c-axis tilt direction in odd and even layers are symmetric with respect to the film surface normal. In this resonator structure, we can increase its thickness without change of shear mode resonant frequency. This provides the expansion of sensing area (in 50  matching) and high power operation. Moreover, longitudinal wave excitation is expected to be suppressed because thickness extensional mode resonant frequency should shifts to lower frequency.
In this study, we have fabricated a multilayered resonator consisting of six layered ZnO films. To prevent degradation of crystalline orientation, SiO2 buffer layers were inserted between each ZnO layer. The influences of the method for fabricating SiO2 on the crystalline orientation also have been investigated. Crystalline orientation of the c-axis tilted ZnO films were confirmed by XRD pole figure analysis and FE-SEM. In the sixth order mode shear mode resonant frequency, high efficient shear mode excitation with relatively suppressed extensional mode excitation was observed. More extensional mode suppression is expected by increasing the number of the layer.
キーワード (和) c軸傾斜反転配向ZnO膜 / 厚みすべりモード / 極点X線回折法 / 電気機械結合係数k15 / RFマグネトロンスパッタ法 / / /  
(英) Multilayered resonator / c-axis tilted ZnO films / Thickness shear mode / Electromechanical coupling coefficient k15 / RF magnetron sputtering method / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 213, US2009-47, pp. 53-58, 2009年9月.
資料番号 US2009-47 
発行日 2009-09-22 (US) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2009-47

研究会情報
研究会 US  
開催期間 2009-09-29 - 2009-09-30 
開催地(和) 祝いの宿 登別グランドホテル 会議室 
開催地(英) Noboribetsu Grand Hotel 
テーマ(和) 一般 
テーマ(英) General 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2009-09-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) c軸傾斜反転配向ZnO多層膜の作製と横波共振子への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Multilayer shear mode resonator consisting of c-axis tilted ZnO films. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) c軸傾斜反転配向ZnO膜 / Multilayered resonator  
キーワード(2)(和/英) 厚みすべりモード / c-axis tilted ZnO films  
キーワード(3)(和/英) 極点X線回折法 / Thickness shear mode  
キーワード(4)(和/英) 電気機械結合係数k15 / Electromechanical coupling coefficient k15  
キーワード(5)(和/英) RFマグネトロンスパッタ法 / RF magnetron sputtering method  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 守里 直希 / Noki Morisato / モリサト ナオキ
第1著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高柳 真司 / Shinji Takayanagi / タカヤナギ シンジ
第2著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松川 真美 / Mami Matsukawa / マツカワ マミ
第4著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 好章 / Yoshiaki Watanabe / ワタナベ ヨシアキ
第5著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-09-30 09:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2009-47 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.213 
ページ範囲 pp.53-58 
ページ数
発行日 2009-09-22 (US) 


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