講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-09 09:30
[招待講演]量産性を考慮した強誘電体高密度記録用多結晶薄膜記録媒体 ○藤本健二郎・河野高博・尾上 篤(パイオニア)・田村正裕(天谷製作所)・梅田 優・都田昌之(ワコム研) MR2009-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2009-25 |
抄録 |
(和) |
強誘電体高密度記録の実用化を目的として,多結晶Pb(Zr,,Ti)O3 (PZT)薄膜記録媒体を量産性の見込めるプロセスにより作製し,その記録媒体に対し実験的に記録密度1Tbit/in2での高密度記録を行うことに成功した.基板としてSiウェハを,下部電極としてSrRuO3 (SRO)薄膜を用い,その上へ結晶性の良い多結晶PZT薄膜を溶液気化有機金属気相成長法(LD-MOCVD)により成膜した.PZT薄膜の表面を化学機械研磨(CMP)により平滑化しその表面粗さを1nm(RMS)以下とした.このPZT薄膜に対しドメインの反転実験を行った結果,非常に制御性良く微細なドメインの反転が行えることを確認し,この薄膜が超高密度強誘電体記録の量産可能な記録媒体として有望であることを示した. |
(英) |
We demonstrate very-high-density ferroelectric recording experiments of 1Tbit/in2 in polycrystalline Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin film for the first time. A high-quality polycrystalline PZT thin film was successfully deposited on a silicon substrate with a SrRuO3 (SRO) electrode by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The roughness of the PZT film was reduced to less than 1 nm by chemical mechanical polishing (CMP) method. The PZT film has a very high controllability for domain inversion. Our fabrication process also enables high productivity. Therefore, our PZT film has potential to be a mass-productive ferroelectric recording medium for high-density storage systems. |
キーワード |
(和) |
強誘電体薄膜 / 高密度記録 / 記録媒体 / / / / / |
(英) |
Ferroelectric thin film / , high-density recording / recording medium / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, 2009年10月. |
資料番号 |
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発行日 |
2009-10-01 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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