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| 講演名 | 2009-10-15 13:30 イオン照射誘起薄膜変形（IIB）現象を利用したフィールドエミッタアレイ作製プロセスの開発 ○吉田知也・長尾昌善・清水貴思・金丸正剛（産総研）  ED2009-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-116 |
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| 抄録 | （和） | イオン照射誘起薄膜変形（IIB）技術を利用したフィールドエミッタアレイ（FEA）作製プロセスを開発した．IIBとは，薄膜で形成した片持ち梁にイオン照射を施すことで片持ち梁が曲がる現象であり，イオンの照射エネルギーと照射量（ドーズ）で曲げ角度を自在に制御可能，かつ様々な材料に適応可能な曲げ加工技術である．IIB技術をFEA作製に利用するメリットは，数10 nmの薄膜を使って高さ数ミクロンの直立薄膜（VTF）エミッタを形成できる省材料プロセスである点，およびFEA作製のために特殊な装置は必要としないため一般的なCMOSプロセスやTFTプロセスとの融合性が高い点である．本プロセスはCMOSやTFTの製造ラインを用いたFEA作製を可能とするプロセスである． |
| （英） | A simple field-emitter-array (FEA) fabrication process based on ion-induced bending (IIB) phenomenon was developed. The IIB technique is a very simple two-step process, involving the formation of cantilever and subsequent ion-irradiation. It can be applied to a wide range of materials deposited by non-specialized sputtering method. And it was found that the bending angle could be controlled by the ion energy and ion dose, irrespective of the film material and the ion species. The procedural advantages of IIB are that it uses small quantities of material and non-specialized equipment. IIB would therefore be compatible with standard CMOS and/or TFT fabrication processes and could produce large-sized FEDs. | |
| キーワード | （和） | イオン照射 / 薄膜 / 応力 / フィールドエミッタアレイ / フィールドエミッションディスプレイ / / / |
| （英） | ion beam irradiation / thin film / stress relaxation / field emitter array / field emission display / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 230, ED2009-116, pp. 1-6, 2009年10月. | |
| 資料番号 | ED2009-116 | |
| 発行日 | 2009-10-08 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-10-15 - 2009-10-16 |
| 開催地（和） | 福井大学 産学官連携本部（旧地域共同研究センター） ３階 研修室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イオン照射誘起薄膜変形（IIB）現象を利用したフィールドエミッタアレイ作製プロセスの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | FEA fabrication technique based on a ion-induced bending (IIB) phenomenon |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン照射 / ion beam irradiation |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 応力 / stress relaxation |
| キーワード(4)（和/英） | フィールドエミッタアレイ / field emitter array |
| キーワード(5)（和/英） | フィールドエミッションディスプレイ / field emission display |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 知也 / Tomoya Yoshida / ヨシダ トモヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 貴思 / Takashi Shimizu / シミズ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru / カネマル セイゴウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-15 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-116 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.230 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-10-08 (ED) |
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