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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-22 09:00 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子 ○姜 海松・ハニー・アヤド バスタワロス・田原裕一朗（九大）・松尾慎治（NTT）・浜本貴一（九大）  OCS2009-41 OPE2009-107 LQE2009-66 |
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| 抄録 | （和） | 光RAM用のメモリ素子の高集積化を実現するには、小型化•低動作電流に加えて、全素子が同一電流で駆動できるための広いヒステリシス幅の確保が望ましい。このため我々は、相互利得抑制領域長を比較的自由に設計することが可能な“横モード光間”双安定動作のアクティブMMI型メモリ素子を検討している。特に今回は、双安定動作に関する検討を進め、素子を小型化しても、より広い30mA（動作電流比で40%以上）というヒステリシス幅を初めて確認した。さらに、この結果に基づき、初めて2bit集積素子を試作し、広いヒステリシス幅とともに、優れた特性均一性を確認したので報告する。 |
| （英） | To realize highly integrated optical memory elements for optical random access memory (RAM) application, common single–current driving condition must be realized for all the integrated devices even in case of their further downsizing. We demonstrate wide hysteresis window bi-stable laser diodes (BLDs) based on active multimode interferometer (MMI) using different lateral propagation modes. They have a superior controllability in the portion of cross-gain saturation (XGS) region length, which leads to wide hysteresis allowing common single-current driving for the integrated devices. The implemented devices showed extremely wide and uniform hysteresis windows of 32mA ± 2mA (operation current around 70mA), with rela-tively high ON/OFF ratio of 18dB in 315x600μm2 total device size. | |
| キーワード | （和） | アクティブMMI / 双安定レーザー / 相互利得抑制領域 / 集積メモリ素子 / / / / |
| （英） | Active MMI / bi-stability laser diode / cross-gain saturation region / integrated memory element / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 244, OPE2009-107, pp. 1-5, 2009年10月. | |
| 資料番号 | OPE2009-107 | |
| 発行日 | 2009-10-15 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2009-41 OPE2009-107 LQE2009-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE OCS |
| 開催期間 | 2009-10-22 - 2009-10-23 |
| 開催地（和） | 九州大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速 伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス，高光出力伝送技術，一般，（ECOC報告） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2009-10-OPE-LQE-OCS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Integrated 2-bit memory elements based on bi-stability between different lateral modes using active multi-mode-interferometer (MMI) for random access memory (RAM) application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アクティブMMI / Active MMI |
| キーワード(2)（和/英） | 双安定レーザー / bi-stability laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | 相互利得抑制領域 / cross-gain saturation region |
| キーワード(4)（和/英） | 集積メモリ素子 / integrated memory element |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 姜 海松 / Haisong Jiang / キョウ カイショウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ハニー・アヤド バスタワロス / Hany Ayad Bastawrous / ハニー・アヤド バスタワロス |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田原 裕一朗 / Yuichiro Tahara / タハラ ユウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浜本 貴一 / Kiichi Hamamoto / ハマモト キイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-22 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OCS2009-41, OPE2009-107, LQE2009-66 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.243(OCS), no.244(OPE), no.245(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-10-15 (OCS, OPE, LQE) |
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