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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-29 14:30 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大）  SDM2009-118 |
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| 抄録 | （和） | 400℃/60 minで形成したPtxHfySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後に、窒素中で400℃/60 minのシリサイド化を行った後、600℃/1 minの2段階シリサイド化を行い、PtxHfy Siの混晶化シリサイドを形成した。従来の400℃/60 minで形成したシリサイドの場合、550℃以上の再アニールにより、n-Siに対する障壁高さ0.75 eV、シート抵抗40Ω/sqに劣化するのに対して、2段階シリサイド化で形成したPtxHfySiは700℃までの再アニールを行った場合でも、n-Siに対する障壁高さ0.65 eVが維持され、30Ω/sqの低いシート抵抗が得られることが分かった。 |
| （英） | To improve the thermal stability of PtxHfySi formed at 400℃/60 min, 2-step silicidation process was investigated. By using a rapid thermal annealing (RTA) system, the Pt/Hf/n-Si(100) stacked layers were annealed at 400℃for 60 min and then re- annealed at 550-750℃ for 1 min in a flowing N2 ambient to form silicide layer. In the case of silicide layer formed at 400℃/60 min, it was found that sheet resistance deteriorated to 30-40 Ω/sq and barrier height became 0.75 eV at the temperature of 550℃ or higher. On the other hand, In the case of PtxHfySi formed at 2-step silicidation, it was found that barrier height is kept at 0.65 eV and low sheet resistance (30 /sq) is obtained, even after 700℃ re-anneal. | |
| キーワード | （和） | PtSi / モノシリサイド / 混晶 / 障壁高さ / 仕事関数 / シート抵抗 / 2段階シリサイド化 / |
| （英） | PtSi / Monosilicide / Alloy / Barrier Height / Workfunction / Sheet resistance / 2-step silicidation / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-118, pp. 7-10, 2009年10月. | |
| 資料番号 | SDM2009-118 | |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-10-29 - 2009-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on Improvement of Thermal Stability for PtSi Alloying with Hf Utilizing Two-Step Silicidation Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | PtSi / PtSi |
| キーワード(2)（和/英） | モノシリサイド / Monosilicide |
| キーワード(3)（和/英） | 混晶 / Alloy |
| キーワード(4)（和/英） | 障壁高さ / Barrier Height |
| キーワード(5)（和/英） | 仕事関数 / Workfunction |
| キーワード(6)（和/英） | シート抵抗 / Sheet resistance |
| キーワード(7)（和/英） | 2段階シリサイド化 / 2-step silicidation |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高 峻 / Jun Gao / コウ シュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 純平 / Jumpei Ishikawa / イシカワ ジュンペイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-29 14:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-118 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.257 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) |
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