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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-13 10:50 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 ○竹田 裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内 潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス）  SDM2009-144 |
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| 抄録 | （和） | 歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSiGeチャネル条件について調べた。その結果、短チャネルデバイスのオン電流に対しては、歪みSiGeチャネルのGe組成比（xGe）が高ければ高いほど良いことが分かった。xGeが高すぎると歪みを維持可能なチャネル厚さが薄くなり、散乱増加によって移動度が減少するが、短チャネルデバイスのオン電流増大に対しては、高xGe条件での高いチャネル注入速度がより重要になる。また、<110>チャネル方向1軸性圧縮歪みは歪みSiGeチャネルpMOSFETに対しても有効であり、更なるオン電流向上が期待できることが分かった。 |
| （英） | Transport characteristics of strained-SiGe on Si channel pMOSFETs is analyzed in detail by full-band device simulation. To increase short-channel saturation current, higher Ge-content (xGe) SiGe-channel is desirable because of the higher channel injection velocity (vinj), although too high xGe reduces maximum available SiGe-channel thickness, thereby degrading the low field mobility. Additional uniaxial <110> compressive strain is very effective for improving SiGe-channel device performance, since it enhances vinj without decreasing density-of-states which largely affects channel injection carrier density in short channel devices. | |
| キーワード | （和） | 歪み / SiGe / SiGeチャネル / フルバンド / モンテカルロ / キャリア輸送 / / |
| （英） | Strain / SiGe / SiGe-channel / full-band / Monte Carlo / carrier transport / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 278, SDM2009-144, pp. 49-53, 2009年11月. | |
| 資料番号 | SDM2009-144 | |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-144 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-11-12 - 2009-11-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carrier Transport Analysis of Strained SiGe/Si-pMOSFETs using Full-band Device Simulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | SiGeチャネル / SiGe-channel |
| キーワード(4)（和/英） | フルバンド / full-band |
| キーワード(5)（和/英） | モンテカルロ / Monte Carlo |
| キーワード(6)（和/英） | キャリア輸送 / carrier transport |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹田 裕 / Hiroshi Takeda / タケダ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河田 道人 / Michihito Kawada / カワダ ミチヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社NEC情報システムズ (略称： NEC情報システムズ) NEC Informatec Systems (略称： NEC Informatec Systems) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽根 正巳 / Masami Hane / ハネ マサミ |
| 第4著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 (略称： NECエレクトロニクス) NEC Electronics Corporation (略称： NEC Electronics Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-13 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-144 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.278 |
| ページ範囲 | pp.49-53 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-11-05 (SDM) |
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