| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2009-11-19 15:20
GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 ○永田賢昌・飯田大輔・永松謙太郎・竹田健一郎・松原哲也・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇(名城大) ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 |
| 抄録 |
(和) |
高In 組成GaInN は高効率多接合型太陽電池,高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LD への応用が期待されている。従来のMOVPE法では高In 組成GaInN は低温成長が必須であったが,結晶性の悪さや残留不純物濃度が増加しやすいことから,高温での成長が望まれている。GaInNにおいて加圧成長することで,より高温で成長可能になる。本報告では,加圧MOVPE法を用いたGaInNの結晶成長およびその熱力学解析について報告する。 |
| (英) |
High In content GaInN films are promising for many applications such as multi-junction tandem photovoltaic cells, high power heterostructured field-effect transistors, high-brightness green light-emitting diodes, etc. Up to now, growth temperature for high In composition GaInN films should be lower than that of GaN. It is desirable to grow GaInN at higher temperature to achieve high quality and low residual impurities. It is possible to grow GaInN at higher temperature under higher pressure. This paper reports GaInN growth at raised pressure by MOVPE and these thermodynamic aspects. |
| キーワード |
(和) |
GaInN / MOVPE / 加圧 / 熱力学 / In組成 / 圧力 / / |
| (英) |
GaInN / MOVPE / raised pressure / pressurize / thermodynamic / In composition / pressure / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 289, CPM2009-114, pp. 57-60, 2009年11月. |
| 資料番号 |
CPM2009-114 |
| 発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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