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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 13:30 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大）  ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 |
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| 抄録 | （和） | InGaN 発光ダイオードにおける, 注入キャリア数の増加に対して, 光出力が線形に増加しない原因を解明するために, 本研究では, 横方向選択成長GaN テンプレート上に作製された青色および緑色発光InGaN 単一量子井戸において, キャリア密度を変化させた時の発光強度分布の変化について, 近接場光学顕微鏡を用いて観測した. その結果, 青色発光InGaN では, 発光強度の飽和現象がおきにくいことが分った. 一方, 緑色発光InGaN では, 著しい発光強度の飽和現象が見られた. これは, 青色発光InGaN では, キャリアが局在準位から非局在準位へオー バーフローするものの, 非輻射再結合中心の周囲にポテンシャルバリアがあるため, キャリアが非輻射再結合中心に捕らえられにくいためであることが分った. それに対して, 緑色発光InGaN では, 高エネルギー準位から低エネルギー準位へとキャリアが拡散し, 非輻射再結合するキャリアの割合が増加しているためであることが分った. |
| （英） | The spatially resolved photoluminescence mappings under the various carrier densities are performed to clarify the phenomena of PL intensity saturation in blue and green emitting InGaN/GaN single quantum wells (SQWs) on epitaxially laterally overgrown GaN template at room temperature by a scanning near-field microscopy (SNOM). It has been found that there is little saturation of PL intensity when the carrier density is increased in blue emitting QW. On the other hand, the PL intensity is saturated in green emitting QW. In the blue emitting QW, the SNOM data show that while the localization states are filled by highly photogenerated carriers and/or excitons and that are diffused from localization states to delocalization ones, the capture probability to nonradiative recombination centers (NRCs) are suppressed because NRCs are surrounded by high potential barrier. However, the carrier and/or excitons are captured easily into the NRCs because they are closely correlated with lower energy band probably due to In-rich clustering in the green emitting QW and the migration from the high energy band to low energy band is enhanced under the highly photoexcited condition. |
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| キーワード | （和） | 近接場光学顕微鏡 / InGaN単一量子井戸 / 発光強度飽和 / / / / / |
| （英） | SNOM / InGaN SQW / Droop / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-115, pp. 39-42, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-115 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mapping of luminous intensity saturation if InGaN/GaN SQWs studied by scanning near-field optical microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 近接場光学顕微鏡 / SNOM |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN単一量子井戸 / InGaN SQW |
| キーワード(3)（和/英） | 発光強度飽和 / Droop |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋谷 享 / Akira Hashiya / ハシヤ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 昭男 / Akio Kaneta / カネタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2009-136, CPM2009-110, LQE2009-115 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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