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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-19 09:50 AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性 ○島原佑樹・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）  ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109 |
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| 抄録 | （和） | 減圧MOVPE法によりAlN/sapphire基板を下地としたAlGaN膜の成長を，反射光を用いたその場観察によって成長形態を観測しながら行うことで，さらなる膜の高品質化と膜厚の制御を行った． AlGaNのAl組成は成長温度で制御できる．Al組成を変化させることで対応した発光波長の紫外光を観測した．また得られたサンプルから電子線励起による紫外光源試作管を作製し，評価を行った．界面組成制御，Si-dope，成長条件の最適化により発光強度は飛躍的に向上し，試作管から波長247nmの深紫外光を観測した． |
| （英） | We performed growth of AlGaN on AlN/sapphire substrate as an underlying layer by low-pressure MOVPE with in-situ monitoring system, in order to fabricate a further high-quality and well-thickness controlled film, and controlled the film thickness. The Al content in AlGaN can be controlled by the growth temperature. Ultraviolet light of luminescence with wavelength that corresponded by changing the Al content was observed. Moreover, we fabricate the prototype ultraviolet-light source tube with the AlGaN film as a target for the electronic beam excitation. Luminous intensity was significantly improved by Si-doping, and optimization of the growth condition, and 247 nm deep-ultraviolet light was observed from the tube. | |
| キーワード | （和） | 減圧MOVPE法 / AlGaN / AlN / 紫外光源 / / / / |
| （英） | LP-MOVPE / AlGaN / AlN / ultraviolet-light source / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-130, pp. 9-12, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-130 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth and optical properties of AlGaN on AlN/sapphire |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 減圧MOVPE法 / LP-MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | 紫外光源 / ultraviolet-light source |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島原 佑樹 / Yuki Shimahara / シマハラ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武富 浩幸 / Hiroyuki Taketomi / タケトミ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福世 文嗣 / Fumitsugu Fukuyo / フクヨ フミツグ |
| 第5著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 知幸 / Tomoyuki Okada / オカダ トモユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高岡 秀嗣 / Hidetsugu Takaoka / タカオカ ヒデツグ |
| 第7著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 治正 / Harumasa Yoshida / ヨシダ ハルマサ |
| 第8著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) HAMAMATSU PHOTONICS K.K. (略称： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-19 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-130, CPM2009-104, LQE2009-109 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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