講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-11-19 13:55
ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 ○小林 篤・下元一馬・上野耕平・梶間智文・太田実雄(東大)・藤岡 洋・尾嶋正治(東大/JST) ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 |
抄録 |
(和) |
ZnO結晶は?族窒化物結晶と構造的に類似性が高く,また,大面積バルク結晶も容易に入手できることから,無極性面窒化物薄膜の成長には理想的な基板である.ZnOは化学的,熱的に不安定性であり,成長中に?族窒化物と反応してしまうという本質的な問題が指摘されていたが,最近我々が開発した「PLD室温成長技術」を用いることで急峻な無極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かってきた.今回この低温成長技術を用いて作製した無極性面窒化物には特有の異方的なひずみが生じ,その物性に大きな影響を与えることが明らかになった. |
(英) |
ZnO has been regarded as an ideal substrate for epitaxial growth of nonpolar group III nitride films because its structural properties are quite similar to those of GaN. However, ZnO has not been used as the substrate due to its chemical instability under the conventional growth conditions of metal-organic vapor phase epitaxy. We have recently found that the use of “pulsed-laser-deposition room-temperature growth technique” enables us to fabricate abrupt nonplolar interfaces, and to solve the instability of ZnO. In this paper, we report that there exist anisotropic in-plane strains in m-plane InGaN films grown on ZnO substrates, which influence the optical polarization properties. |
キーワード |
(和) |
無極性面 / エピタキシャル成長 / InGaN / ZnO / PLD / 室温成長 / 歪み / 偏光特性 |
(英) |
nonpolar / epitaxy / InGaN / ZnO / PLD / room-temperature growth / strain / optical polarization |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-116, pp. 43-46, 2009年11月. |
資料番号 |
LQE2009-116 |
発行日 |
2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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