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講演抄録/キーワード
講演名 2009-11-19 13:55
ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性
小林 篤下元一馬上野耕平梶間智文太田実雄東大)・藤岡 洋尾嶋正治東大/JSTED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116
抄録 (和) ZnO結晶は?族窒化物結晶と構造的に類似性が高く,また,大面積バルク結晶も容易に入手できることから,無極性面窒化物薄膜の成長には理想的な基板である.ZnOは化学的,熱的に不安定性であり,成長中に?族窒化物と反応してしまうという本質的な問題が指摘されていたが,最近我々が開発した「PLD室温成長技術」を用いることで急峻な無極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かってきた.今回この低温成長技術を用いて作製した無極性面窒化物には特有の異方的なひずみが生じ,その物性に大きな影響を与えることが明らかになった. 
(英) ZnO has been regarded as an ideal substrate for epitaxial growth of nonpolar group III nitride films because its structural properties are quite similar to those of GaN. However, ZnO has not been used as the substrate due to its chemical instability under the conventional growth conditions of metal-organic vapor phase epitaxy. We have recently found that the use of “pulsed-laser-deposition room-temperature growth technique” enables us to fabricate abrupt nonplolar interfaces, and to solve the instability of ZnO. In this paper, we report that there exist anisotropic in-plane strains in m-plane InGaN films grown on ZnO substrates, which influence the optical polarization properties.
キーワード (和) 無極性面 / エピタキシャル成長 / InGaN / ZnO / PLD / 室温成長 / 歪み / 偏光特性  
(英) nonpolar / epitaxy / InGaN / ZnO / PLD / room-temperature growth / strain / optical polarization  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-116, pp. 43-46, 2009年11月.
資料番号 LQE2009-116 
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2009-11-19 - 2009-11-20 
開催地(和) 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 
開催地(英) Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) 
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Anisotropy in structural and optical properties of nonpolar group III nitrides grown on ZnO substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 無極性面 / nonpolar  
キーワード(2)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxy  
キーワード(3)(和/英) InGaN / InGaN  
キーワード(4)(和/英) ZnO / ZnO  
キーワード(5)(和/英) PLD / PLD  
キーワード(6)(和/英) 室温成長 / room-temperature growth  
キーワード(7)(和/英) 歪み / strain  
キーワード(8)(和/英) 偏光特性 / optical polarization  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 篤 / Atsushi Kobayashi / コバヤシ アツシ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 下元 一馬 / Kazuma Shimomoto / シモモト カズマ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 上野 耕平 / Kohei Ueno / ウエノ コウヘイ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶間 智文 / Tomofumi Kajima / カジマ トモフミ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 実雄 / Jitsuo Ohta / オオタ ジツオ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤岡 洋 / Hiroshi Fujioka / フジオカ ヒロシ
第6著者 所属(和/英) 東京大学/科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (略称: 東大/JST)
The University of Tokyo/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tokyo/JST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾嶋 正治 / Masaharu Oshima / オシマ マサハル
第7著者 所属(和/英) 東京大学/科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 (略称: 東大/JST)
The University of Tokyo/CREST, Japan Science and Technology Agency (略称: Univ. of Tokyo/JST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-11-19 13:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2009-137, CPM2009-111, LQE2009-116 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) 
ページ範囲 pp.43-46 
ページ数
発行日 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) 


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