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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-20 15:50 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）  ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 GHz)で動作可能で，将来の超高速・大容量・長距離無線通信用デバイスとして期待されている．今回，AlGaN/GaN系HEMTの60 GHz帯における入出力特性を評価した．入出力特性評価に用いた微細ゲートAlGaN/GaN系HEMTは，(0001)面方位SiC基板上にMOCVD法により成長したAl0.21Ga0.79N (18 nm)/GaN (2 μm)を用いて作製され，更に三層絶縁膜SiN/SiO2/SiNを有するMIS型HEMTである．ゲート長35 nm，ゲート幅50 μmのAlGaN/GaN系MIS-HEMTにおいて，出力電力密度1.07 W/mm (出力電力17.3 dBm )を周波数60 GHzで達成した． |
| （英） | AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are the most promising devices for future high-speed and long-range wireless communications to transmit large amount of data because of the HEMTs can operate at millimeter-wave (30-300 GHz) frequency band. In this contribution, we fabricated nanoscale gate Al0.29Ga0.71N/GaN HEMTs with SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators, and measured input-output characteristics of the MIS-HEMTs. For the AlGaN/GaN MIS-HEMT with 35-nm-long and 50-μm-width T-shaped gates, we achieved high output power density of 1.07 W/mm (output power Pout = 17.3 dBm) at a frequency of 60 GHz. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN系HEMT / 三層絶縁膜SiN/SiO2/SiN / 入出力特性 / 出力電力密度 / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMT / SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators / input-output characteristic / output power density / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 288, ED2009-159, pp. 151-155, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-159 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2009-11-19 - 2009-11-20 |
| 開催地（和） | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） |
| 開催地（英） | Univ. of Tokushima (Josanjima Campus, Kogyo-Kaikan) |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Output characteristics of AlGaN/GaN HEMTs at 60 GHz frequency band |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN系HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 三層絶縁膜SiN/SiO2/SiN / SiN/SiO2/SiN triple-layer insulators |
| キーワード(3)（和/英） | 入出力特性 / input-output characteristic |
| キーワード(4)（和/英） | 出力電力密度 / output power density |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. and Com. Tech. (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. and Com. Tech. (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 良美 / Yoshimi Yamashita / ヤマシタ ヨシミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. and Com. Tech. (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広瀬 信光 / Nobumitsu Hirose / ヒロセ ノブミツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. and Com. Tech. (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) National Institute of Info. and Com. Tech./Fujitsu Laboratories Limited (略称： NICT/Fujitsu Labs.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. and Com. Tech. (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-20 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-159, CPM2009-133, LQE2009-138 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.288(ED), no.289(CPM), no.290(LQE) |
| ページ範囲 | pp.151-155 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) |
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