| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-20 14:25 大電流動作GaN MOSFET ○野村剛彦・神林 宏・佐藤義浩・新山勇樹・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合）  ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 |
|
| 抄録 | （和） | Si基板上に形成した、AlGaN/GaNヘテロ接合をゲート・ドレイン間に用いたGaN系MOSFETの大電流動作について報告する。この構造では、MOSゲートによるノーマリオフ動作と、AlGaN/GaNヘテロ接合利用によるゲート・ドレイン間の抵抗低減が可能である。試作した素子のしきい値は2.8 V、オン抵抗は16.5 mΩcm2、耐圧は500 V以上であり、低オン抵抗と高耐圧が両立したノーマリオフ動作が実現できた。また、チャネル幅340 mmの素子において、70 A以上の最大ドレイン電流が得られた。以上の結果は、本構造がパワーエレクトロニクス用素子として有望であることを示している。 |
| （英） | A large current operation of GaN-based MOSFET on Si substrate is reported. To realize both low on-resistance and high breakdown voltage with a normally-off operation, AlGaN / GaN hetero-structure RESURF and MOS gate structure were incorporated. Threshold voltage of 2.8 V, on resistance of 16.5 mohmcm2, and breakdown voltage of 500 V were achieved in a small size device with the channel length of 200 um large size device with the channel width of 340 mm was fabricated and more than 70 A of maximum drain current was achieved. | |
| キーワード | （和） | GaN / MOSFET / ノーマリオフ / パワーデバイス / 大電流動作 / / / |
| （英） | GaN / MOSFET / normally-off / power devices / large current operation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 290, LQE2009-135, pp. 133-137, 2009年11月. | |
| 資料番号 | LQE2009-135 | |
| 発行日 | 2009-11-12 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 |
|
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]