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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-11-29 15:30 モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）  ED2009-163 |
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| 抄録 | （和） | InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには，主にゲート長Lg の短縮，及び短チャネル効果を抑制するためのゲート・チャネル間距離d の短縮が必要である．このうちd の短縮においては，ゲートリセス構造の形成が重要な技術となる．本研究においては，50 nm ゲートIn0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As 格子整合系HEMT に関するモンテカルロシミュレーションを行い，ゲートリセス構造による電子輸送の変化を調べた．リセス深さdre 一定の条件下で横方向リセス長さlre を短縮すると，ゲート電極下のチャネル層中の電子速度は増大する．また，lre 一定の条件下では，dre を大きくするとチャネル層中の電子速度は増大する．電子速度が増大するのは，ゲート電極下近傍のInGaAs チャネル層中の横方向ポテンシャルがより急峻になるためである． |
| （英） | To achieve millimeter-wave and THz-wave operations of InP-based HEMTs, gate length Lg must be reduced. In addition, gate-channel distance d must be also reduced to suppress the short-channel effects. To reduce d, fabrication technique of recessed-gate structure is important. In this work, we carried out Monte Carlo (MC) simulations of 50-nm-gate lattice-matched In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs and clarified the effect of gate-recess structure on electron transport. In the condition of a constant recess-depth dre, electron velocity in the channel layer under the gate electrode increases with decreasing lateral recess-length lre. On the other hand, in the condition of a constant lre, electron velocity in the channel under the gate increases with increasing dre. The increase of electron velocity results from steeper lateral potential in the InGaAs channel layer around the drain-side end of the gate electrode. | |
| キーワード | （和） | InP系HEMT / In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As / ゲートリセス構造 / 横方向リセス長さ / リセス深さ / モンテカルロシミュレーション / 電子速度 / |
| （英） | InP-based HEMTs / In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As / Gate-recess structure / Lateral recess-length / Recess-depth / Monte Carlo simulations / Electron velocity / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 313, ED2009-163, pp. 19-23, 2009年11月. | |
| 資料番号 | ED2009-163 | |
| 発行日 | 2009-11-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-163 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-11-29 - 2009-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪科学技術センター |
| 開催地（英） | Osaka Science & Technology Center |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, THz-wave device and system |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-11-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Gate-Recess Structure on Electron Transport in Nanogate InP-HEMTs Studied by Monte Carlo Simulations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系HEMT / InP-based HEMTs |
| キーワード(2)（和/英） | In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートリセス構造 / Gate-recess structure |
| キーワード(4)（和/英） | 横方向リセス長さ / Lateral recess-length |
| キーワード(5)（和/英） | リセス深さ / Recess-depth |
| キーワード(6)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulations |
| キーワード(7)（和/英） | 電子速度 / Electron velocity |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： NICT/Fujitsu Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-11-29 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-163 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.313 |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-11-22 (ED) |
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