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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-03 13:45
テスト容易性と救済可能性を考慮した歩留まりモデルに関する考察
天野雄二郎吉川祐樹市原英行井上智生広島市大VLD2009-54 DC2009-41
抄録 (和) LSI の微細化による過渡故障および永久故障の増加に伴い,LSIチップの歩留まり低下と市場不良の増加が問題となっている.
この問題に対して,冗長設計による救済技術や効率的なテスト容易化設計技術が開発されている\cite{itrs}.
本研究では,論理回路におけるテスト容易化設計と救済を目的とした冗長設計が,歩留まりと市場不良率に与える影響をモデル化し,
これらの設計技術と製造コストおよび信頼性の関係について議論する.
また,具体的な3つのテスト容易化設計手法と1つの冗長設計に対する提案モデルの適用例を示す. 
(英) For deep-submicron technology, the increase in transitive and permanent faults of LSIs is a critical problem due to the considerable loss of production
yield and the large increase in defect level\cite{itrs}. In this paper, we focus on repairable and testable designs of logic circuits, and propose a
new yield model, which represents the impacts of these designs on production yield and defect level. The proposed model is applied to three testable
designs and one repairable design to clarify the relationship between the designs and the production cost / reliability of LSIs.
キーワード (和) 歩留まり / 市場不良率 / テスト容易化設計 / 冗長設計 / / / /  
(英) yield / defect level / design-for-testability / repairable design / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 316, DC2009-41, pp. 89-94, 2009年12月.
資料番号 DC2009-41 
発行日 2009-11-25 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2009-54 DC2009-41

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2009-12-02 - 2009-12-04 
開催地(和) 高知市文化プラザ 
開催地(英) Kochi City Culture-Plaza 
テーマ(和) デザインガイア2009 ―VLSI設計の新しい大地― 
テーマ(英) Design Gaia 2009 ―New Field of VLSI Design― 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 DC 
会議コード 2009-12-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) テスト容易性と救済可能性を考慮した歩留まりモデルに関する考察 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Yield Model with Testability and Repairability 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 歩留まり / yield  
キーワード(2)(和/英) 市場不良率 / defect level  
キーワード(3)(和/英) テスト容易化設計 / design-for-testability  
キーワード(4)(和/英) 冗長設計 / repairable design  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 雄二郎 / Yujiro Amano / アマノ ユウジロウ
第1著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉川 祐樹 / Yuki Yoshikawa / ヨシカワ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市原 英行 / Hideyuki Ichihara / イチハラ ヒデユキ
第3著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 智生 / Tomoo Inoue / イノウエ トモオ
第4著者 所属(和/英) 広島市立大学 (略称: 広島市大)
Hiroshima City University (略称: Hiroshima City Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-03 13:45:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 DC 
資料番号 VLD2009-54, DC2009-41 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.315(VLD), no.316(DC) 
ページ範囲 pp.89-94 
ページ数
発行日 2009-11-25 (VLD, DC) 


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