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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-04 14:25
劣化検知テストにおけるパス選択について
野田光政九工大)・梶原誠司佐藤康夫宮瀬紘平温 暁青九工大/JST)・三浦幸也首都大東京/JSTVLD2009-65 DC2009-52
抄録 (和) VLSIの微細化に伴い,経時劣化による故障への対応が重要になってくる.劣化の進行度合いは,同じ回路であっても回路内の箇所によって異なる他,VLSIの利用状況(使用頻度や温度)で異なる.そのため,劣化の検知は,VLSIの出荷後にフィールドで行うことが望まれる.本論文では,BIST機構を用いたフィールドでの遅延テストを前提に,NBTIによる遅延増加の検知を行う際のテスト対象パス選択手法について,実動作に影響が生じやすいパスをテスト対象として選択する手法を述べる. 
(英) With the advanced VLSI process technology, it is important for reliability of VLSIs to deal with faults caused by aging. The speed of aging depends on not only the function of the circuit but also environment where the circuit is used. Hence detection of aging that would make a failure prefers to test on the field after shipping the VLSIs. This paper presents a method for selecting paths to be tested for delay degradation caused by NBTI under BIST-based self testing.
キーワード (和) 劣化 / 負バイアス温度不安定性 / 遅延故障 / パス選択 / / / /  
(英) Aging / Negative Bias Temperature Instability / Delay Fault / Path Selection / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 316, DC2009-52, pp. 167-172, 2009年12月.
資料番号 DC2009-52 
発行日 2009-11-25 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2009-65 DC2009-52

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2009-12-02 - 2009-12-04 
開催地(和) 高知市文化プラザ 
開催地(英) Kochi City Culture-Plaza 
テーマ(和) デザインガイア2009 ―VLSI設計の新しい大地― 
テーマ(英) Design Gaia 2009 ―New Field of VLSI Design― 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 DC 
会議コード 2009-12-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 劣化検知テストにおけるパス選択について 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Path Selection Method of Delay Test for Transistor Aging 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 劣化 / Aging  
キーワード(2)(和/英) 負バイアス温度不安定性 / Negative Bias Temperature Instability  
キーワード(3)(和/英) 遅延故障 / Delay Fault  
キーワード(4)(和/英) パス選択 / Path Selection  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野田 光政 / Mitsumasa Noda / ノダ ミツマサ
第1著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Institute of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶原 誠司 / Seiji Kajihara / カジハラ セイジ
第2著者 所属(和/英) 九州工業大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称: 九工大/JST)
Kyushu Institute of Technology/JST CREST (略称: Kyushu Institute of Tech./JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 康夫 / Yasuo Sato / サトウ ヤスオ
第3著者 所属(和/英) 九州工業大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称: 九工大/JST)
Kyushu Institute of Technology/JST CREST (略称: Kyushu Institute of Tech./JST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮瀬 紘平 / Kohei Miyase / ミヤセ コウヘイ
第4著者 所属(和/英) 九州工業大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称: 九工大/JST)
Kyushu Institute of Technology/JST CREST (略称: Kyushu Institute of Tech./JST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 温 暁青 / Xiaoqing Wen / オン ギョウセイ
第5著者 所属(和/英) 九州工業大学/独立行政法人科学技術振興機構 (略称: 九工大/JST)
Kyushu Institute of Technology/JST CREST (略称: Kyushu Institute of Tech./JST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 幸也 / Yukiya Miura / ミウラ ユキヤ
第6著者 所属(和/英) 首都大学東京/独立行政法人科学技術振興機構 (略称: 首都大東京/JST)
Tokyo Metropolitan University/JST CREST (略称: Tokyo Metropolitan Univ./JST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-04 14:25:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 DC 
資料番号 VLD2009-65, DC2009-52 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.315(VLD), no.316(DC) 
ページ範囲 pp.167-172 
ページ数
発行日 2009-11-25 (VLD, DC) 


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