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講演抄録/キーワード
講演名 2009-12-04 17:10
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出
西 佑介岩田達哉木本恒暢京大SDM2009-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-170
抄録 (和) 抵抗変化特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が,抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年大いに注目されている.本研究では,p型半導体としてのNiO薄膜をn型シリコン基板上に堆積してpn接合を作製し,アドミッタンス法という手法を用いて電気伝導に寄与するキャリアが存在しうる欠陥準位の深さや密度を検出した.酸素組成が1.07であるNiO薄膜において,室温における放出時定数2.3 sである単一の欠陥準位が,価電子帯端からの深さ約170 meVに存在していることがわかった.この値は,Pt/NiO1.07/Pt積層構造の初期状態もしくは高抵抗状態での抵抗の活性化エネルギーと同等であり,正孔をトラップする深さ170 meVの位置に存在する欠陥準位からの正孔の熱励起によるバンド伝導を示唆するものと考えられる. 
(英) NiO thin films showing resistive switching characteristics have recently attracted extensive interest as one of the materials for ReRAM. In this study, an energy level above a valence band edge and density of defects in NiO thin films regarded as p-type semiconductors deposited on n-Si substrates were characterized by Admittance spectroscopy. The NiO1.07 thin film turned out to include a localized single defect level, whose emission time constant at room temperature and the energy level above the valence band edge were 2.3 s and about 170 meV, respectively. This energy was equivalent to the activation energy of the resistances in both initial state and high-resistance state at a Pt/NiO1.07/Pt stacking structure. Band conduction with holes thermally excited from the defect level may be dominant.
キーワード (和) NiO / ReRAM / 欠陥準位 / / / / /  
(英) NiO / ReRAM / defect level / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-170, pp. 97-100, 2009年12月.
資料番号 SDM2009-170 
発行日 2009-11-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-170

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-12-04 - 2009-12-04 
開催地(和) 奈良先端大 物質創成科学研究科 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of defects in NiO thin films for ReRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NiO / NiO  
キーワード(2)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(3)(和/英) 欠陥準位 / defect level  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 佑介 / Yusuke Nishi / ニシ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 達哉 / Tatsuya Iwata / イワタ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-12-04 17:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2009-170 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.321 
ページ範囲 pp.97-100 
ページ数
発行日 2009-11-27 (SDM) 


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