講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-12-04 17:10
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 ○西 佑介・岩田達哉・木本恒暢(京大) SDM2009-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-170 |
抄録 |
(和) |
抵抗変化特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が,抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年大いに注目されている.本研究では,p型半導体としてのNiO薄膜をn型シリコン基板上に堆積してpn接合を作製し,アドミッタンス法という手法を用いて電気伝導に寄与するキャリアが存在しうる欠陥準位の深さや密度を検出した.酸素組成が1.07であるNiO薄膜において,室温における放出時定数2.3 sである単一の欠陥準位が,価電子帯端からの深さ約170 meVに存在していることがわかった.この値は,Pt/NiO1.07/Pt積層構造の初期状態もしくは高抵抗状態での抵抗の活性化エネルギーと同等であり,正孔をトラップする深さ170 meVの位置に存在する欠陥準位からの正孔の熱励起によるバンド伝導を示唆するものと考えられる. |
(英) |
NiO thin films showing resistive switching characteristics have recently attracted extensive interest as one of the materials for ReRAM. In this study, an energy level above a valence band edge and density of defects in NiO thin films regarded as p-type semiconductors deposited on n-Si substrates were characterized by Admittance spectroscopy. The NiO1.07 thin film turned out to include a localized single defect level, whose emission time constant at room temperature and the energy level above the valence band edge were 2.3 s and about 170 meV, respectively. This energy was equivalent to the activation energy of the resistances in both initial state and high-resistance state at a Pt/NiO1.07/Pt stacking structure. Band conduction with holes thermally excited from the defect level may be dominant. |
キーワード |
(和) |
NiO / ReRAM / 欠陥準位 / / / / / |
(英) |
NiO / ReRAM / defect level / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-170, pp. 97-100, 2009年12月. |
資料番号 |
SDM2009-170 |
発行日 |
2009-11-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2009-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-170 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2009-12-04 - 2009-12-04 |
開催地(和) |
奈良先端大 物質創成科学研究科 |
開催地(英) |
NAIST |
テーマ(和) |
シリコン関連材料の作製と評価 |
テーマ(英) |
Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2009-12-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Characterization of defects in NiO thin films for ReRAM |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
NiO / NiO |
キーワード(2)(和/英) |
ReRAM / ReRAM |
キーワード(3)(和/英) |
欠陥準位 / defect level |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西 佑介 / Yusuke Nishi / ニシ ユウスケ |
第1著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岩田 達哉 / Tatsuya Iwata / イワタ タツヤ |
第2著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
第3著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-12-04 17:10:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2009-170 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.321 |
ページ範囲 |
pp.97-100 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2009-11-27 (SDM) |