| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-12-04 11:20 Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲／放出特性の評価 ○鎌倉良成（阪大）・日昔 崇（阪大/関西大）・辻 博史・谷口研二（阪大）  SDM2009-157 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-157 |
|
| 抄録 | （和） | nチャネル低温ポリシリコンTFTのオフ領域で観測されたId－Vg特性のヒステリシス現象について、その発生条件を調査するとともにメカニズム解明を試みた。ドレインに大きな正電圧（+8V）を与え、ゲート電圧を負から正の範囲(－15～+15V) で繰り返し往復スイープさせたところ、ゲート電圧が負のオフ領域においてドレイン電流にスイープ方向依存性が確認された。この現象は、GIDLにより発生したホールの酸化膜注入(オフ領域)、および自己発熱効果による素子温度上昇に伴うホールの熱放出(オン領域)、というメカニズムを考えることで理解できる。さらに、バイアス条件を様々に振った測定結果から素子の自己発熱特性やゲート酸化膜欠陥に関する情報が得られることを報告する。 |
| （英） | The hysteresis observed in the transfer characteristics of n-channel poly-Si TFTs are experimentally investigated and possible mechanisms are discussed. The hot holes generated by GIDL mechanism are injected into the gate oxide, and resulting trapped positive charges significantly reduce the off-state drain leakage current. These trapped holes can be erased by the on-current conduction through the thermal emission process, which is enhanced by the self-heating effect. The information about the self-heating characteristics and oxide defects can be obtained by measuring the hole emission characteristics under various bias conditions. | |
| キーワード | （和） | poly-Si TFT / ヒステリシス / 酸化膜ホールトラップ / 自己発熱効果 / / / / |
| （英） | poly-Si TFT / hysteresis / oxide hole trap / self-heating effect / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 321, SDM2009-157, pp. 35-38, 2009年12月. | |
| 資料番号 | SDM2009-157 | |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-157 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-157 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-12-04 - 2009-12-04 |
| 開催地（和） | 奈良先端大 物質創成科学研究科 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication, Evaluation for Si Related Materials, |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲／放出特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of hot hole injection, trapping, and detrapping in gate oxide of poly-Si TFTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | poly-Si TFT / poly-Si TFT |
| キーワード(2)（和/英） | ヒステリシス / hysteresis |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化膜ホールトラップ / oxide hole trap |
| キーワード(4)（和/英） | 自己発熱効果 / self-heating effect |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日昔 崇 / Takashi Himukashi / ヒムカシ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学/関西大学 (略称： 阪大/関西大) Osaka University/Kansai University (略称： Osaka Univ./Kansai Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 博史 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi / タニグチ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-12-04 11:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-157 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.321 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-11-27 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]