講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-12-11 11:25
OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 ○竹下達也・佐藤具就・満原 学・近藤康洋・大橋弘美(NTT) LQE2009-143 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-143 |
抄録 |
(和) |
2.3$\micron$m波長InAs/InP-MQW-DFBレーザで推定寿命$10^5$h以上(@45℃3mW)の長期信頼性を実証した。高歪みのInAs活性層であっても、従来の通信用レーザと同じ拡散プロセスによって劣化することがわかった。さらに、従来の$t^0.5$劣化を逸脱し安定動作を示すデバイスを光励起電流法により分析した。その結果、エイジングによりp-InP埋込み層のキャリア密度が減少し、これによりリーク電流が抑制され動作電流が安定化したことがわかった。 |
(英) |
We have realized reliable 2.3 $\micron$m wavelength InAs/InP MQW DFB lasers for trace gas monitoring applications. The estimated median lifetime exceeds 1 x $10^5$ hours during aging at an ambient temperature of 45$\degree$C and with a constant output power of 3 mW. It is clarified that the main degradation mechanism in DFB lasers with highly strained InAs quantum wells is dominated by a diffusion process as found with conventional telecommunication lasers. Furthermore, stable behavior devices with deviation from the conventional $t^0.5$ deterioration are analyzed by using the optical beam induced current (OBIC) technique. We found that a decrease in the carrier concentration of the p-type InP buried layer caused by aging leads to a decrease in the pass current and an increase in the operating current is suppressed. |
キーワード |
(和) |
信頼性 / エイジング / 半導体レーザ / 量子井戸レーザ / 故障解析 / InAs / 高歪み / |
(英) |
reliability / aging / semiconductor lasers / quantum well lasers / failure analysis / InAs / high strain / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 331, LQE2009-143, pp. 25-30, 2009年12月. |
資料番号 |
LQE2009-143 |
発行日 |
2009-12-04 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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