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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-12 10:30 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御 ○中川 隆・横田知之・関谷 毅・竹内 健（東大）・Ute Zschieschang・Hagen Klauk（MPI）・染谷隆夫（東大）  OME2009-67 |
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| 抄録 | （和） | 自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁層に用いることで，低電圧駆動フローティング（浮遊）ゲート型有機メモリトランジスタを作製した．書き込み,消去に必要な電圧は，-6 V，3 Vであり，これはシリコンで作製されるフローティングゲートトランジスタと比べても低い．浮遊ゲート層にキャリアを蓄積することで不揮発性メモリ機能を示し，保持時間は10^4 s程度であった．また，保持時間の改善を目指し，閾値制御技術に取り組んだ．有機半導体層に用いたペンタセンの膜厚を10 nm~90 nmまで変化させた．これにより，書き込み状態と消去状態の閾値の差(ΔVth)を1.6 V~3Vまでコントロールすることに成功した． |
| （英） | We have demonstrated to control threshold voltage (Vth) of the organic floating-gate transistors using self-assembled monolayer (SAM) for realizing organic nonvolatile memory array. For programming, -6 V is applied between the control gate and the source contact. To erase, +3 V is applied to discharge the floating gate and recover the initial threshold voltage. The charge retention time was about 104 s. The difference between Vth on program-state and on erase-state (ΔVth) is one of the most important factors for data retention. In this work, with changing the thickness of organic semiconductor pentacene from 10 to 90 nm, ΔVth can be systematically changed from 1.6 to 3 V. | |
| キーワード | （和） | 有機不揮発性メモリ / 浮遊ゲート型 / 閾値制御 / 自己組織化単分子膜 / / / / |
| （英） | Organic nonvolatile memory / Floating-gate / Threshold voltage control / Self-assembled monolayer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 359, OME2009-67, pp. 7-11, 2010年1月. | |
| 資料番号 | OME2009-67 | |
| 発行日 | 2010-01-05 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2009-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2010-01-12 - 2010-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | センサ，デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Sensor, device, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2010-01-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabricatioin and threshold voltage control of organic nonvolatile memory transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機不揮発性メモリ / Organic nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | 浮遊ゲート型 / Floating-gate |
| キーワード(3)（和/英） | 閾値制御 / Threshold voltage control |
| キーワード(4)（和/英） | 自己組織化単分子膜 / Self-assembled monolayer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 隆 / Takashi Nakagawa / ナカガワ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Tokyo University (略称： Tokyo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横田 知之 / Tomoyuki Yokota / ヨコタ トモユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Tokyo University (略称： Tokyo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関谷 毅 / Tsuyoshi Sekitani / セキタニ ツヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Tokyo University (略称： Tokyo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Tokyo University (略称： Tokyo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ute Zschieschang / Ute Zschieschang / Ute Zschieschang |
| 第5著者 所属（和/英） | マックスプランク研究所 (略称： MPI) Max Planck Institute for Solid State Research (略称： MPI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hagen Klauk / Hagen Klauk / Hagen Klauk |
| 第6著者 所属（和/英） | マックスプランク研究所 (略称： MPI) Max Planck Institute for Solid State Research (略称： MPI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 染谷 隆夫 / Takao Someya / ソメヤ タカオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Tokyo University (略称： Tokyo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-12 10:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2009-67 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.359 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-05 (OME) |
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