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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-22 10:15 E級増幅器におけるゲートドライブ消費電力のシミュレーション解析 ○米倉翔一郎・松崎大士・末次 正（福岡大）  EE2009-42 |
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| 抄録 | （和） | 本論文ではE級増幅器のゲートポートにおける消費電力がゲートに加えられる信号の波形によってどのように変わるかを求めた。 IXYS Power MOSFET DE150-102N02Aを用いたE級増幅器についてゲートポートにおける電力損失をPSPICEにより求めた。シミュレーション結果よりゲート信号の最適なオフセット電圧8Vであった。ゲートにおける電力損失はゲート信号の振幅が低いほど低い。しかし、E級増幅器本体の電力効率がゲート信号の振幅が低いと低下した。E級増幅器本体について80%以上の電力効率を得るためにはゲート信号の振幅は4V以上を維持する必要がある。 |
| （英） | In this paper, gate port power dissipation of class E amplifier is obtained as a function of amplitude and offset of drive signal with Pspice simulation. The gate power dissipation of MOSFET in class E amplifier with IXYS Power MOSFET DE150-102N02A was investigated with Pspice simulation. From the simulation result, the best offset level of gate signal was 8 V. The power dissipation at gate port was lower when the amplitude of gate signal was lower. However, the power efficiency of amplifier was deteriorated when the amplitude was too low. The amplitude of gate signal should be higher than 4 V in order to keep 80% efficiency in class E power stage | |
| キーワード | （和） | E級増幅器 / ゲート損失 / RF電力増幅器 / ゼロ電圧スイッチング / / / / |
| （英） | Class E power amplifiers / , gate power dissipation / RF power amplifiers / zero-voltage-switching / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 371, EE2009-42, pp. 37-40, 2010年1月. | |
| 資料番号 | EE2009-42 | |
| 発行日 | 2010-01-14 (EE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EE2009-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
| 開催期間 | 2010-01-21 - 2010-01-22 |
| 開催地（和） | 福岡大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 回路技術および高効率エネルギー変換技術関連，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EE |
| 会議コード | 2010-01-EE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | E級増幅器におけるゲートドライブ消費電力のシミュレーション解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of Power Dissipation at MOSFET Gate Port of Class E Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | E級増幅器 / Class E power amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート損失 / , gate power dissipation |
| キーワード(3)（和/英） | RF電力増幅器 / RF power amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | ゼロ電圧スイッチング / zero-voltage-switching |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米倉 翔一郎 / Shouichirou Yonekura / ヨネクラ ショウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福岡大学 (略称： 福岡大) Fukuoka University (略称： Fukuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松崎 大士 / Taishi Matsuzaki / マツザキ タイシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福岡大学 (略称： 福岡大) Fukuoka University (略称： Fukuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末次 正 / Tadashi Suetsugu / スエツグ タダシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福岡大学 (略称： 福岡大) Fukuoka University (略称： Fukuoka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-22 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EE |
| 資料番号 | EE2009-42 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.371 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-01-14 (EE) |
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