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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-01-29 08:55 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ ○北田貴弘・高橋朋也・森田 健・井須俊郎（徳島大）  PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171 |
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| 抄録 | （和） | 共振器内での光カー効果を利用した面型全光スイッチとして機能するGaAs$\slash$AlAs多層膜光共振器を分子線エピタキシー法により作製した。共振器層には、高い非線形性と高速なキャリア緩和を実現できる歪緩和In$_{0.35}$Ga$_{0.65}$Asバリア層に埋め込んだInAs量子ドットを用いた。100 fsの超短パルスレーザ光を用いたポンプ・プローブ法により、共振器モード($\lambda$ = 1.46 $\mu$m)における時間分解光学測定を室温にて行った。共振器層に2層の量子ドットを挿入しているだけにもかかわらず、量子ドットの過飽和吸収効果による大きな透過率変化が明瞭に観測された。透過率変化の時間プロファイルは、格子歪緩和に起因した非輻射緩和過程による高速($\sim$ 16 ps)な緩和成分が支配的であった。この量子ドット共振器試料からの光カー信号は、量子ドットを有さないGaAsを共振器層とする試料に比較して60倍もの強度を示した。応答速度は1 ps以下と超高速であり、共振器内の光子寿命で決定付けられていることがわかった。 |
| （英） | A GaAs$\slash$AlAs multilayer cavity containing self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In$_{0.35}$Ga$_{0.65}$As barriers was grown by molecular beam epitaxy to yield planar-type optical Kerr gate switches. Time-resolved optical measurements at the cavity mode ($\lambda$ = 1.46 $\mu$m) were performed by a pump-probe method at room temperature. Although only two layers of the InAs QDs were inserted into the $\lambda$$\slash$2 cavity layer, a large transmission change caused by the absorption saturation in the resonant QDs was clearly observed. The temporal profile was dominated by a fast ($\sim$ 16 ps) decay component resulting from carrier relaxation into the nonradiative centers due to the lattice strain relaxation. The optical Kerr signal from the QD-cavity sample was 60 times larger than that of a GaAs $\lambda \slash 2$ cavity sample having no QDs. The ultrafast response time ($<$ 1 ps) of the optical Kerr signal was found to be determined by the photon lifetime in the multilayer cavity. | |
| キーワード | （和） | 全光スイッチ / 微小光共振器 / 光カー効果 / III-V族化合物半導体 / 量子ドット / / / |
| （英） | All optical switch / Optical microcavity / Optical Kerr effect / III-V semiconductors / Quantum dots / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 402, OPE2009-189, pp. 85-88, 2010年1月. | |
| 資料番号 | OPE2009-189 | |
| 発行日 | 2010-01-21 (PN, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE EMT LQE PN IEE-EMT |
| 開催期間 | 2010-01-28 - 2010-01-29 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス，フォトニック結晶・ファイバとその応用，光集積回路，光導波路素子，光スイッチング，導波路解析，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2010-01-OPE-EMT-LQE-PN |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Planar-type all optical switches using GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 全光スイッチ / All optical switch |
| キーワード(2)（和/英） | 微小光共振器 / Optical microcavity |
| キーワード(3)（和/英） | 光カー効果 / Optical Kerr effect |
| キーワード(4)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V semiconductors |
| キーワード(5)（和/英） | 量子ドット / Quantum dots |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北田 貴弘 / Takahiro Kitada / キタダ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 朋也 / Tomoya Takahashi / タカハシ トモヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 健 / Ken Morita / モリタ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井須 俊郎 / Toshiro Isu / イス トシロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-01-29 08:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | PN2009-51, OPE2009-189, LQE2009-171 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.401(PN), no.402(OPE), no.403(LQE) |
| ページ範囲 | pp.85-88 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-01-21 (PN, OPE, LQE) |
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