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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-05 16:45 Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 ○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ）  SDM2009-192 |
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| 抄録 | （和） | Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス（LER）評価方法を確立するため，レジスト，low-k，Cu/low-kパターンをCD-SEMで観察し，典型的なラフネス形状を抽出するとともに，LER起因の電界集中をシミュレーションにより見積もった．low-k及びCu/low-kパターンにはくさび形のLERが観測されたが，このようなLERはくさびの先端部で，時間依存性絶縁破壊（TDDB）特性劣化につながる電界集中を引き起こすことがシミュレーションにより示された．また電界集中の予測には，low-kパターンのエッチング後及びCuのCMP後に, LERの大きさ（3sigma）とくさび形の開き角を評価することが効果的であると分かった． |
| （英） | To establish the method for evaluating Cu/low-k interconnect line-edge roughness (LER), resist, low-k, and Cu/low-k samples were observed with critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM) and electric-field enhancement caused by LER was simulated. Wedge-shaped LER was observed in the edges of low-k and Cu/low-k patterns, and simulations showed that the wedges causes serious electric-field enhancement which can degrade time-dependent dielectric breakdown (TDDB) property. To predict the risk of TDDB, inspections of the wedge angle after low-k etching and Cu CMP are found to be required as well as that of the LER degree (3sigma). | |
| キーワード | （和） | 配線 / ラインエッジラフネス / TDDB / CD-SEM / / / / |
| （英） | Interconnect / Line-Edge Roughness / Time-Dependent Dielectric Breakdown / CD-SEM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-192, pp. 59-63, 2010年2月. | |
| 資料番号 | SDM2009-192 | |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-192 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-02-05 - 2010-02-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術<応用物理学会シリコンテクノロジー分科会と共催> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Line-Edge Roughness in Cu/Low-k Interconnect Patterns |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 配線 / Interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | ラインエッジラフネス / Line-Edge Roughness |
| キーワード(3)（和/英） | TDDB / Time-Dependent Dielectric Breakdown |
| キーワード(4)（和/英） | CD-SEM / CD-SEM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦子 / Atsuko Yamaguchi / |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 龍崎 大介 / D. Ryuzaki / |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 健一 / Kenichi Takeda / |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川田 洋揮 / Hiroki Kawada / |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立ハイテクノロジーズ (略称： 日立ハイテクノロジーズ) Hitachi High-Technologies corp. (略称： Hitachi High-Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-05 16:45:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-192 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.59-63 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) |
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