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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-05 13:00 Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 ○興梠隼人（パナソニック）・千葉原宏幸（ルネサステクノロジ）・鈴木 繁・筒江 誠（パナソニック）・瀬尾光平（パナソニックセミコンダクターエンジニアリング）・岡 好浩・後藤欣哉・赤澤守昭・宮武 浩（ルネサステクノロジ）・松本 晋・上田哲也（パナソニック）  SDM2009-185 |
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| 抄録 | （和） | テクノロジーノードが32nm以細のデバイスにおいて、配線の実効誘電率を低減するため、Porous Low-k膜を直接研磨するDirect-CMPプロセスの実現が求められている。しかしながら、このDirect-CMPプロセスは、層間膜の破壊電圧（=耐圧）が劣化する問題を抱えている。本論文では、Direct-CMP時に発生するピット欠陥が引き起こす耐圧劣化について報告する。さらに、マイクロポア密度の低い研磨パッドを用いることで、ピット欠陥を低減し、耐圧劣化を改善した。また、ピット低減のメカニズムについて考察する。 |
| （英） | In order to reduce the effective dielectric constant (keff) for the 32 nm technology node and beyond, Direct-CMP of a porous low-k film without a protective cap layer is required. However, the degradation of breakdown electric field (Ebd) has been one of critical issues. This study clarified that the Ebd degradation was caused by the pit defects on the surface of porous low-k film during Direct-CMP. Furthermore, we demonstrated that CMP pads with low-density micro-pores drastically reduced them and improved the Ebd degradation. In this paper, the mechanism for their reduction is also discussed. | |
| キーワード | （和） | Direct-CMP / Porous Low-k / 耐圧劣化 / ピット欠陥 / 研磨パッド / / / |
| （英） | Direct-CMP / Porous Low-k / Ebd / Pit defect / CMP pad / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-185, pp. 19-23, 2010年2月. | |
| 資料番号 | SDM2009-185 | |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-185 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-02-05 - 2010-02-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術<応用物理学会シリコンテクノロジー分科会と共催> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Advanced Direct-CMP Process for Porous Low-k Thin Film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Direct-CMP / Direct-CMP |
| キーワード(2)（和/英） | Porous Low-k / Porous Low-k |
| キーワード(3)（和/英） | 耐圧劣化 / Ebd |
| キーワード(4)（和/英） | ピット欠陥 / Pit defect |
| キーワード(5)（和/英） | 研磨パッド / CMP pad |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 興梠 隼人 / Hayato Korogi / |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 千葉原 宏幸 / Hiroyuki Chibahara / |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 繁 / S. Suzuki / |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒江 誠 / M. Tsutsue / |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀬尾 光平 / K. Seo / |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニックセミコンダクターエンジニアリング株式会社 (略称： パナソニックセミコンダクターエンジニアリング) Panasonic Semiconductor Engineering Co., Ltd. (略称： Panasonic Semiconductor Engineering) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 好浩 / Y. Oka / |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 欣哉 / K. Goto / |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤澤 守昭 / M. Akazaw / |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮武 浩 / Hiroshi Miyatake / |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 晋 / S. Matsumoto / |
| 第10著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲也 / T. Ueda / |
| 第11著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-05 13:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-185 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) |
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