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講演抄録/キーワード
講演名 2010-02-05 15:45
低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出
上殿明良筑波大)・井上尚也林 喜宏江口和弘中村友二廣瀬幸範吉丸正樹半導体理工学研究センター)・大島永康大平俊行鈴木良一産総研SDM2009-190 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-190
抄録 (和) 陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である.陽電子が電子と対消滅する際に放出されるγ線のエネルギー分布や対消滅までの時間を測定することにより,空孔型欠陥の種類や濃度が評価できる.ここでは,Cu/low-k配線構造中のSiOCHのポアを評価した結果を述べる.エネルギー可変の陽電子ビーム(低速陽電子ビーム)を用いて,陽電子と電子の水素様束縛状態であるポジトロニウム(Ps)の生成率や寿命を測定することにより,配線に埋め込まれたSiOCHのポアサイズやその密度の変化を議論できることがわかった.配線ピッチサイズが縮小するとPs寿命が短くなり,かつその形成率が減少した.前者はスケーリングによりSiOCH中のポアサイズが減少したことに対応する.Ps形成率はポア中の電子・正孔捕獲中心の存在により減少する.したがって,配線構造形成によりSiOCH中に捕獲中心を含む損傷領域が導入され,かつピッチサイズ減少により損傷領域の比率が上昇したためPs形成率が減少したと考えられる. 
(英) Defects in SiOCH/Cu damascene structures were probed using monoenergetic positron beams. Doppler broadening spectra of the annihilation radiation and positron lifetime spectra were measured for samples patterned with 0.54- and 2.16-micrometer pitches. From the analysis of the annihilation properties of positronium (Ps) formed in SiOCH, it was found that the size of pores in SiOCH was decreased by the scaling. The decrease in the Ps formation probability in the sample with short pitches was also observed, and which was attributed to electron/hole traps introduced by the fabrication process of the damascene structure. It was demonstrated that monoenergetic positron beams are applicable for use in a sophisticated nondestructive-observation technique to characterize low-k films in fine-pitch Cu interconnects.
キーワード (和) Cu / low-k / 配線 / 空隙 / ポア / 陽電子消滅 / 低速陽電子ビーム /  
(英) Cu / low-k / interconnect / vacancy / pore / positron annihilation / monoenergetic positron beam /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-190, pp. 49-52, 2010年2月.
資料番号 SDM2009-190 
発行日 2010-01-29 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-190 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-190

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-02-05 - 2010-02-05 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術<応用物理学会シリコンテクノロジー分科会と共催> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Defects in Cu/low-k Interconnects Probed Using Monoenergetic Positron Beams 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Cu / Cu  
キーワード(2)(和/英) low-k / low-k  
キーワード(3)(和/英) 配線 / interconnect  
キーワード(4)(和/英) 空隙 / vacancy  
キーワード(5)(和/英) ポア / pore  
キーワード(6)(和/英) 陽電子消滅 / positron annihilation  
キーワード(7)(和/英) 低速陽電子ビーム / monoenergetic positron beam  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上殿 明良 / Akira Uedono /
第1著者 所属(和/英) 筑波大学物理工学系 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Tsukuba Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 尚也 / Naoya Inoue /
第2著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 喜宏 / Y. Hayashi /
第3著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 江口 和弘 / K. Eguchi /
第4著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 友二 / T. Nakamura /
第5著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 幸範 / Y. Hirose /
第6著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉丸 正樹 / Masaki Yoshimaru /
第7著者 所属(和/英) 半導体理工学センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 永康 / Nagayasu Oshima /
第8著者 所属(和/英) 産業総合技術研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 大平 俊行 / Toshiyuki Ohdaira /
第9著者 所属(和/英) 産業総合技術研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 良一 / R. Suzuki /
第10著者 所属(和/英) 産業総合技術研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-02-05 15:45:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2009-190 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.412 
ページ範囲 pp.49-52 
ページ数
発行日 2010-01-29 (SDM) 


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