講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-02-05 15:45
低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 ○上殿明良(筑波大)・井上尚也・林 喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹(半導体理工学研究センター)・大島永康・大平俊行・鈴木良一(産総研) SDM2009-190 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-190 |
抄録 |
(和) |
陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である.陽電子が電子と対消滅する際に放出されるγ線のエネルギー分布や対消滅までの時間を測定することにより,空孔型欠陥の種類や濃度が評価できる.ここでは,Cu/low-k配線構造中のSiOCHのポアを評価した結果を述べる.エネルギー可変の陽電子ビーム(低速陽電子ビーム)を用いて,陽電子と電子の水素様束縛状態であるポジトロニウム(Ps)の生成率や寿命を測定することにより,配線に埋め込まれたSiOCHのポアサイズやその密度の変化を議論できることがわかった.配線ピッチサイズが縮小するとPs寿命が短くなり,かつその形成率が減少した.前者はスケーリングによりSiOCH中のポアサイズが減少したことに対応する.Ps形成率はポア中の電子・正孔捕獲中心の存在により減少する.したがって,配線構造形成によりSiOCH中に捕獲中心を含む損傷領域が導入され,かつピッチサイズ減少により損傷領域の比率が上昇したためPs形成率が減少したと考えられる. |
(英) |
Defects in SiOCH/Cu damascene structures were probed using monoenergetic positron beams. Doppler broadening spectra of the annihilation radiation and positron lifetime spectra were measured for samples patterned with 0.54- and 2.16-micrometer pitches. From the analysis of the annihilation properties of positronium (Ps) formed in SiOCH, it was found that the size of pores in SiOCH was decreased by the scaling. The decrease in the Ps formation probability in the sample with short pitches was also observed, and which was attributed to electron/hole traps introduced by the fabrication process of the damascene structure. It was demonstrated that monoenergetic positron beams are applicable for use in a sophisticated nondestructive-observation technique to characterize low-k films in fine-pitch Cu interconnects. |
キーワード |
(和) |
Cu / low-k / 配線 / 空隙 / ポア / 陽電子消滅 / 低速陽電子ビーム / |
(英) |
Cu / low-k / interconnect / vacancy / pore / positron annihilation / monoenergetic positron beam / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-190, pp. 49-52, 2010年2月. |
資料番号 |
SDM2009-190 |
発行日 |
2010-01-29 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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