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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-05 16:15 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 ○小寺雅子・高橋琢視・南幅 学（東芝）  SDM2009-191 |
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| 抄録 | （和） | 近年の高速LSIデバイスでは多孔質低誘電率膜が絶縁膜として使用されるが，加工中に誘電率が変化することが問題である．本研究では3種類のナノサイズ多孔質低誘電率膜にCMP，ドライ処理，スパッタリング処理を施した．その結果，多孔質低誘電率膜のCMP中の誘電率上昇はスラリー中の界面活性剤の膜中拡散によって引き起こされ，界面活性剤や多孔質膜の特性に影響されることが明らかになった．界面活性剤は多孔質膜の連続孔の側壁に吸着するが，熱処理によって容易に脱離し誘電率が回復される．一方ドライ処理後にCMPを行った場合には，誘電率上昇の主原因は界面活性剤吸着ではなく，吸湿であることが判明した．メカニズム詳細を本文中で議論する． |
| （英） | Nanoporous materials are utilized in current devices. However, their low-k value often alters during device fabrication. In this study, we analyzed three kinds of nanoporous low-k materials that were exposed to CMP slurry, dry processing, and/or barrier sputtering. We demonstrate that k-value increase during CMP is caused by diffusion of surfactant included in the slurry through the nanoporous film, depending on characteristics of porous film and surfactant. This diffusion is explained by absorption of surfactant on sidewalls of continuous pores formed by porogen desorption while it is easily released by annealing. To the contrary, the increase of k-value during CMP after dry processing can mainly be caused not by surfactant but by moisture uptake. The detailed mechanism is discussed. | |
| キーワード | （和） | CMP / 研磨 / 低誘電率膜 / Low-k膜 / 多孔質 / 誘電率 / ダメージ / |
| （英） | CMP / planarization / porous / low-k / dielectric constant / damage / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-191, pp. 53-58, 2010年2月. | |
| 資料番号 | SDM2009-191 | |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-191 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-02-05 - 2010-02-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術<応用物理学会シリコンテクノロジー分科会と共催> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Dielectric Constant through Direct CMP of Porous Low-k Film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMP / CMP |
| キーワード(2)（和/英） | 研磨 / planarization |
| キーワード(3)（和/英） | 低誘電率膜 / porous |
| キーワード(4)（和/英） | Low-k膜 / low-k |
| キーワード(5)（和/英） | 多孔質 / dielectric constant |
| キーワード(6)（和/英） | 誘電率 / damage |
| キーワード(7)（和/英） | ダメージ / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小寺 雅子 / Masako Kodera / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation. (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 琢視 / T. Takahashi / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation. (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南幅 学 / G. Mimamihaba / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation. (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-05 16:15:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-191 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) |
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