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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-05 14:00 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 ○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉 桂・柴田英毅（東芝）  SDM2009-187 |
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| 抄録 | （和） | Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、EM信頼性改善効果と配線抵抗の上昇がトレードオフになってしまうという問題がある。配線抵抗の上昇はCu配線中への余剰Siの拡散によって起こるため、Tiバリアメタル(-BM)に注目した。Ti-BMはその一部がCu配線中に拡散するため、シリサイドキャップと組み合わせて適用することでSiをCu配線表面に引き止める効果が期待できる。その結果、配線抵抗の上昇を抑制したまま、EM信頼性はTa-BMでシリサイドキャップ無しの場合と比べて100倍になった。そのとき、EMの活性化エネルギー(Ea)は1.45eVとなった。 |
| （英） | Silicide-cap for Cu interconnects is promising for enhancing electromigration (EM) performance for 32 nm-node and beyond. But the trade-off properties of silicide-cap between EM lifetime and line resistance remain to be resolved. Increasing of line resistance is caused by Si diffusion in Cu line. So, we focused on Ti barrier metal (BM), which diffuses in Cu line, and applied it in combination with silicide-cap, in order to keep Si stable at the surface of Cu line. As a result, we achieved EM median time-to-failure (MTF) 100 times longer than that of the sample w/o silicide-cap and Ta-BM while line resistance is kept lower. Activation energy (Ea) of EM of 1.45 eV is achieved. | |
| キーワード | （和） | シリサイドキャップ / Tiバリアメタル / Cu配線 / エレクトロマイグレーション / / / / |
| （英） | Silicide-cap / Ti barrier metal / Cu interconnects / Electromigration / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-187, pp. 31-36, 2010年2月. | |
| 資料番号 | SDM2009-187 | |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-187 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-02-05 - 2010-02-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術<応用物理学会シリコンテクノロジー分科会と共催> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low resistive and highly reliable copper interconnects in combination of silicide-cap with Ti-barrier for 32 nm-node and beyond |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリサイドキャップ / Silicide-cap |
| キーワード(2)（和/英） | Tiバリアメタル / Ti barrier metal |
| キーワード(3)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(4)（和/英） | エレクトロマイグレーション / Electromigration |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 裕美 / Yumi Hayashi / |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松永 範昭 / Noriaki Matsunaga / |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 真 / Makoto Wada / |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中尾 慎一 / Shinichi Nakao / |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂田 敦子 / Atsuko Sakata / |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 桂 / Kei Watanabe / |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 英毅 / Hideki Shibata / |
| 第7著者 所属（和/英） | (株)東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-05 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-187 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-01-29 (SDM) |
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