講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-02-05 14:00
低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術 ○林 裕美・松永範昭・和田 真・中尾慎一・坂田敦子・渡邉 桂・柴田英毅(東芝) SDM2009-187 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-187 |
抄録 |
(和) |
Cu配線におけるシリサイドキャップはエレクトロマイグレーション(EM)信頼性を高める選択キャップ技術として有望であるが、EM信頼性改善効果と配線抵抗の上昇がトレードオフになってしまうという問題がある。配線抵抗の上昇はCu配線中への余剰Siの拡散によって起こるため、Tiバリアメタル(-BM)に注目した。Ti-BMはその一部がCu配線中に拡散するため、シリサイドキャップと組み合わせて適用することでSiをCu配線表面に引き止める効果が期待できる。その結果、配線抵抗の上昇を抑制したまま、EM信頼性はTa-BMでシリサイドキャップ無しの場合と比べて100倍になった。そのとき、EMの活性化エネルギー(Ea)は1.45eVとなった。 |
(英) |
Silicide-cap for Cu interconnects is promising for enhancing electromigration (EM) performance for 32 nm-node and beyond. But the trade-off properties of silicide-cap between EM lifetime and line resistance remain to be resolved. Increasing of line resistance is caused by Si diffusion in Cu line. So, we focused on Ti barrier metal (BM), which diffuses in Cu line, and applied it in combination with silicide-cap, in order to keep Si stable at the surface of Cu line. As a result, we achieved EM median time-to-failure (MTF) 100 times longer than that of the sample w/o silicide-cap and Ta-BM while line resistance is kept lower. Activation energy (Ea) of EM of 1.45 eV is achieved. |
キーワード |
(和) |
シリサイドキャップ / Tiバリアメタル / Cu配線 / エレクトロマイグレーション / / / / |
(英) |
Silicide-cap / Ti barrier metal / Cu interconnects / Electromigration / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 412, SDM2009-187, pp. 31-36, 2010年2月. |
資料番号 |
SDM2009-187 |
発行日 |
2010-01-29 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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