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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-22 16:05 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製 ○滝谷和聡・友田悠介・渡邉敬登・久米 彌・上野俊介・白樫淳一（東京農工大）  ED2009-203 SDM2009-200 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-203 SDM2009-200 |
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| 抄録 | （和） | 我々は簡便なナノスケールトンネルデバイスの作製手法として，エレクトロマイグレーション（EM）を利用した電界放射電流誘起型EM（アクティベーション）法を提案している．本手法は，数十nmの初期ギャップに対する通電によりEMを誘起させることでナノギャップ電極を作製する手法である．これまでに電極形状や電極材質，初期ギャップ幅によらず，通電電流の強度によりナノギャップのトンネル抵抗を制御できることが明らかとなっている．即ち，本手法により狭窄化したナノギャップ電極を金属－真空障壁－金属系のトンネル接合として利用することで，トンネル抵抗をその場で調整しながら様々なナノスケールデバイスの形成が可能となる．今回は，金属に強磁性電極を用いたプレナー型強磁性トンネル接合の作製を行い，その磁気抵抗特性について詳細に検討を行った． |
| （英） | We study nanometer-sized spintronic devices with ferromagnetic tunnel junctions. Tunnel magnetoresitance (TMR) observed in the devices has been extensively investigated both experimentally and theoretically. Here, we fabricated planar-type Ni-vacuum-Ni ferromagnetic tunnel junctions, whose geometry is asymmetrically butterfly-shaped for inducing the magnetic shape anisotropy, using field-emission-induced electromigration (so-called “activation”). In the activation method, we were simply and easily able to control the tunnel resitance from 1.6 MΩ to 169 kΩ by only adjusting the magnitude of field emission current, resulting in a decrease of the initial nanogap separation from approximately 40 nm to less than 10 nm. Therefore, the activation technique is most important for the formation of planar-type Ni-vaccum-Ni ferromagnetic tunnel junctions. The resistance of the junctions formed by the activation was varied by external magnetic fields, and the magnetoresistance (MR) ratio of approximately 12.2 % was obtained at 16 K with the bias voltage of 0.72 mV. With increasing the bias voltage from 0.72 to 7.3 mV, the MR ratio decreased from 12.2 to 6.2 %. When the applied bias voltage was fixed at 1.6 mV, the MR ratio also decreased from 11.6 % to 1.2 % with increasing the measurement temperature from 16 to 270 K. These results strongly suggest that activation method can be useful to easily fabricate planar-type ferromagnetic tunnel junctions. | |
| キーワード | （和） | エレクトロマイグレーション / 電界放射電流 / 強磁性トンネル接合 / 磁気抵抗効果 / / / / |
| （英） | eletromigration / field emission current / ferromagnetic tunnel junction / magnetoresistance / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-203, pp. 41-45, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-203 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-203 SDM2009-200 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-203 SDM2009-200 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Planar-Type Ferromagnetic Tunnel Junctions Using Field-Emission-Induced Electromigration |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロマイグレーション / eletromigration |
| キーワード(2)（和/英） | 電界放射電流 / field emission current |
| キーワード(3)（和/英） | 強磁性トンネル接合 / ferromagnetic tunnel junction |
| キーワード(4)（和/英） | 磁気抵抗効果 / magnetoresistance |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝谷 和聡 / Kazutoshi Takiya / タキヤ カズトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 友田 悠介 / Yusuke Tomoda / トモダ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 敬登 / Takato Watanabe / ワタナベ タカト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久米 彌 / Watari Kume / クメ ワタリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 俊介 / Shunsuke Ueno / ウエノ シュンスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白樫 淳一 / Jun-ichi Shirakashi / シラカシ ジュンイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-22 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-203, SDM2009-200 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.41-45 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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