講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-02-22 13:50
カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子 ○袴田靖文・大野恭秀・前橋兼三(阪大)・葛西誠也(北大)・井上恒一・松本和彦(阪大) ED2009-198 SDM2009-195 |
抄録 |
(和) |
微弱信号の応答を増幅することを目的として,カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ (CNT-FETs) を用いた確率共鳴現象の研究を行っている.サブスレッショルド領域のCNT-FETのバックゲートに適切な大きさの雑音を加えた微弱入力パルス列を印加したとき,入力パルス列とソース・ドレイン電流間の相関が増大した.さらに,CNT-FETの疑似的加算ネットワークにおいて,相関の増大が観察された.また,相関係数のピーク幅が広がったことから,疑似的加算CNT-FETネットワークが雑音に対してロバストな系であることが示された.従って,確率共鳴現象を基礎とした加算CNT-FETネットワークは高感度非標識センサへの応用が期待できる. |
(英) |
Stochastic resonance in carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) was investigated to enhance weak-signal response. When weak pulse trains were given to the gate of the CNT-FET operating in sub-threshold region, the correlation between the input-pulse and source-drain current increased by adding noise with optimized intensity. Moreover, enhancement of the correlation was observed in a summing network of the CNT-FETs. It was also found that the peak width of correlation coefficient also became wider, indicating that the summing CNT-FET networks were robust against noise. Therefore, the summing CNT-FET networks based on stochastic resonance will be a promising candidate for highly sensitive label-free sensors. |
キーワード |
(和) |
カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / 確率共鳴 / 雑音 / 信号増幅 / 相関 / / |
(英) |
carbon nanotubes / field-effect transistors / stochastic resonance / noise / signal enhancement / correlation / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-198, pp. 11-15, 2010年2月. |
資料番号 |
ED2009-198 |
発行日 |
2010-02-15 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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ED2009-198 SDM2009-195 |