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| 講演名 | 2010-02-22 13:25 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大）  ED2009-197 SDM2009-194 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-197 SDM2009-194 |
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| 抄録 | （和） | シリコンナノ構造の熱電特性について調べている．リンをドープしたn 型の極薄SOI（silicon-on-insulator）基板のゼーベック係数を測定した結果，SOI 膜厚6 nm 以上の試料ではゼーベック係数がバルクシリコンのそれとほぼ等しい値を持つことがわかった．また，3.5x10^19cm^-3 以上の高濃度領域においてゼーベック係数の増加が見られ，5x10^19cm^-3 にピークを持つことを見出した．不純物ドーピングに伴う不純物バンドの形成，イオン化エネルギーの低下，伝導帯のバンドテイリングを考慮して状態密度を計算したところ，フェルミエネルギー近傍での状態密度の傾きが，高濃度領域でピークを持つことがわかった．この結果は，高濃度ドープによりシリコンが金属的になり，ゼーベック係数が状態密度分布に強く支配されることを示す． |
| （英） | We have investigated the Seebeck coefficient of Si nanostructures, especially, ultrathin P-doped SOI (silicon-on-insulator) layers. The dependence of the Seebeck coefficient on the carrier concentration was shown to be in good agreement with that of bulk Si for SOI thicknesses above 6 nm. The Seebeck coefficient decreased with increasing P concentration, and with a peak of the Seebeck coefficient around 5x10^19cm^-3. We calculated the density-of-states (DOS) of bulk Si based on theoretical models of impurity-band formation, ionization-energy shift and conduction-band tailing. The calculated impurity-concentration dependence of the energy derivative of the DOS at the Fermi energy also showed a peak. Consequently, the Seebeck coefficient of the heavily-doped Si is ruled by the DOS distribution, similar to metallic materials. | |
| キーワード | （和） | 熱電変換材料 / ナノ構造 / SOI基板 / ゼーベック係数 / 不純物バンド / / / |
| （英） | thermoelectricity / nanostructure / SOI wafer / Seebeck coefficient / impurity band / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 423, SDM2009-194, pp. 5-9, 2010年2月. | |
| 資料番号 | SDM2009-194 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-197 SDM2009-194 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-197 SDM2009-194 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Seebeck coefficient in heavily-doped SOI layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電変換材料 / thermoelectricity |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ構造 / nanostructure |
| キーワード(3)（和/英） | SOI基板 / SOI wafer |
| キーワード(4)（和/英） | ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
| キーワード(5)（和/英） | 不純物バンド / impurity band |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ファイズ サレ / Faiz Salleh / ファイズ サレ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-22 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-197, SDM2009-194 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.5-9 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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