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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-23 12:25 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 ○前橋兼三・大堀貴大・永曽悟史・井上恒一・松本和彦（阪大）  ED2009-211 SDM2009-208 |
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| 抄録 | （和） | トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。単層カーボンナノチューブチャネル付近に存在する水分子を取り除いた後、SiNx、SiO2の絶縁保護膜を蒸着することによって、デバイスのヒステリシス特性を制御した。作製したCNT-FETメモリデバイスは、チャネルへの電界の集中により比較的低電圧で書き込み／消去ができ、良好な保持時間特性を示した。さらに、単正孔の絶縁層への注入、除去の現象を観察することができた。 |
| （英） | We have fabricated nonvolatile memory based on top-gated carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). Two kinds of insulating films of SiNx and SiO2 were deposited to control the hysteresis characteristics after removal of water molecules around SWNT channels. The interface between SiNx and SiO2 films is expected as a charge storage node of nonvolatile memory. The fabricated CNTFET-based memory devices clearly exhibited not only memory effect but also good retention characteristics for charge storage. Furthermore, single-hole charging and discharging phenomena were clearly observed in CNTFET-based memory devices by reducing the number of carries trapped in the interface between SiNx and SiO2. These results indicate that the CNTFET-based nonvolatile memory is one of candidates for fabrication of single-electron memory. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / 不揮発性メモリ / 単正孔トラップ / / / / |
| （英） | Carbon nanotubes / Field-effect transistors / Nonvolatile memory / Single-hole trap / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-211, pp. 87-91, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-211 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-211 SDM2009-208 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nonvolatile memory based on carbon nanotube field-effect transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / Carbon nanotubes |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field-effect transistors |
| キーワード(3)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(4)（和/英） | 単正孔トラップ / Single-hole trap |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前橋 兼三 / Kenzo Maehashi / マエハシ ケンゾウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大堀 貴大 / Takahiro Ohori / オオホリ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永曽 悟史 / Satoshi Nagaso / ナガソ サトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 恒一 / Koichi Inoue / イノウエ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto / マツモト カズヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-23 12:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-211, SDM2009-208 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.87-91 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
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