お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-02-23 10:10
SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発
岸本貴臣大野恭秀前橋兼三井上恒一松本和彦阪大ED2009-206 SDM2009-203 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-206 SDM2009-203
抄録 (和) SiNx 保護膜を有するCNT-FET を用いて、CMOS インバータの作製に成功した。SiNx 保護膜の形成によってn 型、成膜後のアニール処理によってp 型のCNT-FETを作製し、伝導特性の制御を行った。この方法と、フォトリソグラフィー・リフトオフ技術を組み合わせることで、SiNx 保護膜のパターニングを行い、同一基板上にp 型・n 型のCNT-FET を作製した。これらを組み合わせることでCMOS インバータを構成した。静特性では、インバータが正確に動作していること、ゲインが3 程度であることが確認できた。また、動特性では、100 Hz での動作に成功した。 
(英) We have demonstrated logic gates based on complementary carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with SiNx passivation films deposited by catalytic chemical vapor deposition. Carrier types in CNT-FETs were controlled by forming SiNx passivation film. Electrical measurements reveal that the p-type characteristics of CNT-FETs were converted to n-type after deposition of SiNx passivation films. Then, the n-type CNT-FETs with SiNx passivation films were reconverted to p-type by annealing in N2 atmosphere. As a consequence, the complementary voltage inverters comprising the p-type and n-type CNT-FETs with SiNx passivation film were demonstrated on the same SiO2 substrate by conventional photolithography and lift-off techniques. Moreover, static transfer and dynamic characteristics in the CNT-FET-based inverters were investigated, indicating that the gain of approximately three was achieved and that the device was switched properly at frequencies up to 100 Hz.
キーワード (和) カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / CMOSインバータ / 触媒化学気相成長法 / / / /  
(英) Carbon nanotube / Field-Effect Transistor / CMOS inverter / Cat-CVD / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-206, pp. 59-63, 2010年2月.
資料番号 ED2009-206 
発行日 2010-02-15 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-206 SDM2009-203 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-206 SDM2009-203

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2010-02-22 - 2010-02-23 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawaken-Seinen-Kaikan 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional Nano Device and Related Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) CMOS inverters based on carbon nanotube field-effect transistors with SiNx passivation films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) カーボンナノチューブ / Carbon nanotube  
キーワード(2)(和/英) 電界効果トランジスタ / Field-Effect Transistor  
キーワード(3)(和/英) CMOSインバータ / CMOS inverter  
キーワード(4)(和/英) 触媒化学気相成長法 / Cat-CVD  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸本 貴臣 / Takaomi Kishimoto / キシモト タカオミ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学産業科学研究所 (略称: 阪大)
The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称: ISIR, Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 恭秀 / Yasuhide Ohno / オオノ ヤスヒデ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学産業科学研究所 (略称: 阪大)
The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称: ISIR, Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 前橋 兼三 / Kenzo Maehashi / マエハシ ケンゾウ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学産業科学研究所 (略称: 阪大)
The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称: ISIR, Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 恒一 / Koichi Inoue / イノウエ コウイチ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学産業科学研究所 (略称: 阪大)
The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称: ISIR, Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto / マツモト カズヒコ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学産業科学研究所 (略称: 阪大)
The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称: ISIR, Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2010-02-23 10:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2009-206, SDM2009-203 
巻番号(vol) 109 
号番号(no) no.422(ED), no.423(SDM) 
ページ範囲 pp.59-63 
ページ数
発行日 2010-02-15 (ED, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会