| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-02-23 10:10 SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発 ○岸本貴臣・大野恭秀・前橋兼三・井上恒一・松本和彦（阪大）  ED2009-206 SDM2009-203 |
|
| 抄録 | （和） | SiNx 保護膜を有するCNT-FET を用いて、CMOS インバータの作製に成功した。SiNx 保護膜の形成によってn 型、成膜後のアニール処理によってp 型のCNT-FETを作製し、伝導特性の制御を行った。この方法と、フォトリソグラフィー・リフトオフ技術を組み合わせることで、SiNx 保護膜のパターニングを行い、同一基板上にp 型・n 型のCNT-FET を作製した。これらを組み合わせることでCMOS インバータを構成した。静特性では、インバータが正確に動作していること、ゲインが3 程度であることが確認できた。また、動特性では、100 Hz での動作に成功した。 |
| （英） | We have demonstrated logic gates based on complementary carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with SiNx passivation films deposited by catalytic chemical vapor deposition. Carrier types in CNT-FETs were controlled by forming SiNx passivation film. Electrical measurements reveal that the p-type characteristics of CNT-FETs were converted to n-type after deposition of SiNx passivation films. Then, the n-type CNT-FETs with SiNx passivation films were reconverted to p-type by annealing in N2 atmosphere. As a consequence, the complementary voltage inverters comprising the p-type and n-type CNT-FETs with SiNx passivation film were demonstrated on the same SiO2 substrate by conventional photolithography and lift-off techniques. Moreover, static transfer and dynamic characteristics in the CNT-FET-based inverters were investigated, indicating that the gain of approximately three was achieved and that the device was switched properly at frequencies up to 100 Hz. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / 電界効果トランジスタ / CMOSインバータ / 触媒化学気相成長法 / / / / |
| （英） | Carbon nanotube / Field-Effect Transistor / CMOS inverter / Cat-CVD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 422, ED2009-206, pp. 59-63, 2010年2月. | |
| 資料番号 | ED2009-206 | |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-206 SDM2009-203 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-02-22 - 2010-02-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken-Seinen-Kaikan |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nano Device and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CMOS inverters based on carbon nanotube field-effect transistors with SiNx passivation films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / Carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field-Effect Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | CMOSインバータ / CMOS inverter |
| キーワード(4)（和/英） | 触媒化学気相成長法 / Cat-CVD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 貴臣 / Takaomi Kishimoto / キシモト タカオミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 (略称： 阪大) The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称： ISIR, Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 恭秀 / Yasuhide Ohno / オオノ ヤスヒデ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 (略称： 阪大) The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称： ISIR, Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前橋 兼三 / Kenzo Maehashi / マエハシ ケンゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 (略称： 阪大) The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称： ISIR, Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 恒一 / Koichi Inoue / イノウエ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 (略称： 阪大) The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称： ISIR, Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto / マツモト カズヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 (略称： 阪大) The institute of scientific and industrial research, Osaka University (略称： ISIR, Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-02-23 10:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-206, SDM2009-203 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.422(ED), no.423(SDM) |
| ページ範囲 | pp.59-63 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-02-15 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]