講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-03-10 15:50
MOSトランジスタの耐ばらつきチャネル分割に関する考察 ○劉 博・越智 敦・中武繁寿(北九州市大) VLD2009-104 |
抄録 |
(和) |
本研究では、規則バルク構造に基づくMOSアナログレイアウト自動設計方式の確立を目標として、短チャネル長/幅のトランジスタ集合への分割方法を扱う。$90nm$製造プロセスにおけるMOSトランジスタ特性評価回路が搭載したTEG(Test Element Group)を開発し、チャネル長(L)分割、チャネル幅(W)分割、拡散共有・分離など、多様なレイアウト構造を持つMOSトランジスタのDC特性を考察する。
また、これらのレイアウト構造に依存する製造ばらつきにも着目し、レイアウト面積とのトレードオフを考慮した総合評価を行い、製造ばらつきを抑制できるチャネル分割方法のガイドラインを示す。 |
(英) |
Aiming at the layout automation based on the regular bulk structure
in MOS analog circuits, we study how to decompose a MOS transistor into unit-transistors with the short channel width and length. We developed the TEG (Test Element Group) on $90nm$ manufacturing process where various transistors decomposed with respect to channel length/width and diffusion sharing/isolation. Evaluating the DC characteristics of the transistors in the TEG as well as focusing the manufacturing variation, we provide guidelines for the channel decomposition to suppress the manufacturing variation taking the layout area into account. |
キーワード |
(和) |
MOSアナログレイアウト / 規則バルク構造 / 製造ばらつき / チャネル分割 / / / / |
(英) |
MOS analog layout / egular bulk structure / manufacturing variation / channel decomposition / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 462, VLD2009-104, pp. 31-36, 2010年3月. |
資料番号 |
VLD2009-104 |
発行日 |
2010-03-03 (VLD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
VLD2009-104 |