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講演抄録/キーワード
講演名 2010-04-22 09:00
[招待講演]SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM
藤村勇樹平林 修佐々木貴彦鈴木 東川澄 篤武山泰久櫛田桂一深野 剛片山 明仁木祐介矢部友章東芝ICD2010-1 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-1
抄録 (和) 本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コンフィギュラブルSRAMについて述べる。低電圧でセルの動作マージンを保つためビット線負電位書込みとプロセスばらつきに応じたワード線レベル最適制御を導入するが、コンフィギュラブルSRAMに適した回路が必要である。そこで、セルアレイのビット線長が異なる場合でも負電位が一定となるような定負電位ライトバッファと低電圧においても立ち上がり遅延の少ないレベル可変ワード線ドライバを提案する。テストチップを試作し測定した結果、ビット線/ワード線当たりのセル数が64/128/192/256とサイズの異なるセルアレイに対して0.1V以上の低電圧化を確認した。 
(英) This paper presents a configurable SRAM for low voltage operation with Constant-Negative-Level Write Buffer (CNL-WB) and Level Programmable Wordline Driver for single supply operation(LPWD). CNL-WB is suitable for compilable SRAMs and it improves write margin by featuring an automatic bitline level adjustment for configuration range of four to 512 cells/bitline using a replica bitline technique. LPWD optimizes the tradeoff between disturb and write margin of a memory cell, realizing 60% shorter wordline rise time than that of the conventional design at 0.7V. The test chip has been fabricated in 32nm high-κ/metal gate CMOS technology with 0.149μm2 6T cell. Measurement results have demonstrated cell failure rate improvement by two orders of magnitude for array configuration range of 64 to 256 rows by 64 to 256 columns.
キーワード (和) SRAM / 低電圧 / コンフィギュラブル / ビット線負電位 / レプリカビット線 / ワード線ドライバ / /  
(英) SRAM / Low Voltage Operation / Configurable / Negative Bias / Replica / Wordline Driver / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-1, pp. 1-6, 2010年4月.
資料番号 ICD2010-1 
発行日 2010-04-15 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2010-1 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-1

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-04-22 - 2010-04-23 
開催地(和) 湘南工大 
開催地(英) Shonan Institute of Tech. 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Configurable SRAM with Constant-Negative-Level Write Buffer for Low Voltage Operation with 0.149μm2 Cell in 32nm High-k Metal Gate CMOS 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) 低電圧 / Low Voltage Operation  
キーワード(3)(和/英) コンフィギュラブル / Configurable  
キーワード(4)(和/英) ビット線負電位 / Negative Bias  
キーワード(5)(和/英) レプリカビット線 / Replica  
キーワード(6)(和/英) ワード線ドライバ / Wordline Driver  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤村 勇樹 / Yuki Fujimura / フジムラ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平林 修 / Osamu Hirabayashi / ヒラバヤシ オサム
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 貴彦 / Takahiko Sasaki / ササキ タカヒコ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 東 / Azuma Suzuki / スズキ アズマ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ
第5著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 泰久 / Yasuhisa Takeyama / タケヤマ ヤスヒサ
第6著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 櫛田 桂一 / Keiichi Kushida / クシダ ケイイチ
第7著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 深野 剛 / Gou Fukano / フカノ ゴウ
第8著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 片山 明 / Akira Katayama / カタヤマ アキラ
第9著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 仁木 祐介 / Yusuke Niki / ニキ ユウスケ
第10著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢部 友章 / Tomoaki Yabe / ヤベ トモアキ
第11著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-04-22 09:00:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2010-1 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2010-04-15 (ICD) 


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