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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 11:20 ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム ○川畑直之（九大）・黒澤昌志（九大/学振）・佐道泰造・宮尾正信（九大）  SDM2010-4 OME2010-4 |
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| 抄録 | （和） | 次世代高速薄膜トランジスタ及び高効率薄膜太陽電池の実現には，高移動度や高い光吸収係数を有する新半導体材料(SiGe)薄膜をガラス基板上に高品質形成する必要がある．そこで本論文では，SiGeのガラス基板上における低温成長（<500℃）及び配向性制御を目指し，非晶質SiGe薄膜のAl誘起層交換成長を検討した．その結果，成長様態はGe濃度とAl膜の大気暴露時間に大きく依存することが判明した．Ge濃度に応じて，SiGe/Al界面の酸化膜厚を選択することにより全Ge濃度領域において，大粒径（>10 um）SiGeの均一成長を実現した．さらに，均一成長した領域の配向性を評価し，Al誘起層交換成長におけるSiGeの成長メカニズムについても議論する． |
| （英） | Large grain polycrystalline silicon-germanium (poly-SiGe) with controlled crystal orientation on glass substrates is required to achieve high speed thin-film transistors and high-efficiency thin-film solar cells. For this purpose, we have developed an advanced Al-induced crystallization (AIC) technique by controlling the interfacial oxide layers. As a results, homogeneous and large-grained (>10 um) AIC growth was achieved for samples with the whole Ge fractions (0-100%). In addition, we evaluated crystal orientation of the poly-SiGe and discuss the growth mechanism. | |
| キーワード | （和） | Al誘起層交換成長 / シリコンゲルマニウム(SiGe) / 低温結晶化 / 結晶方位制御 / 薄膜トランジスタ / 薄膜太陽電池 / / |
| （英） | Al-induced crystallization (AIC) / silicon germanium (SiGe) / low temperature crystallization / orientation control / thin-film transistor / thin-film solar cell / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-4, pp. 13-17, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-4 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-4 OME2010-4 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al-Induced Crystallization of SiGe thin-films on glass and its growth mechanism |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al誘起層交換成長 / Al-induced crystallization (AIC) |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンゲルマニウム(SiGe) / silicon germanium (SiGe) |
| キーワード(3)（和/英） | 低温結晶化 / low temperature crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶方位制御 / orientation control |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(6)（和/英） | 薄膜太陽電池 / thin-film solar cell |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川畑 直之 / Naoyuki Kawabata / カワバタ ナオユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学/学振特別研究員 (略称： 九大/学振) Kyushu University/JSPS Research Fellow (略称： Kyushu Univ./JSPS Research Fellow) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 11:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-4, OME2010-4 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
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